晶体管和场效应管的区别

1.晶体管是什么？

晶体管是一种三层器件，由三个PN结构构成。PN结是由不同材料的半导体单元（P型材料和N型材料）焊接在一起形成的一个结，它有两个区域，一个是P区，一个是N区，P区和N区之间形成了空间电荷区，筑起一道屏障，把两边的自由载流子分开，因此，在PN结形成的空间电荷区内没有载流子流动，也即空间电荷区在两边阻拦了自由载流子的运动，起到了开关的作用，这种开关就被称为晶体管。

2.场效应管是什么？

场效应管又叫做MOSFET，它是一种基于电场效应控制的半导体晶体管。场效应管由源、栅和漏出三个区域组成，其中栅由金属或多晶硅构成，被氧化层隔离，因此栅极没有连通的电路。栅极和漏出区域之间存在一个绝缘薄膜，与普通三层晶体管不同的是，场效应管的控制信号是电场，而不是电流。

3.晶体管和场效应管的工作原理

晶体管的工作原理是，输入信号会激发出一些少量载流子，这些载流子会受到电场的作用而在PN结内的空间电荷区移动，带动更多的载流子进行集电流，从而形成电流放大的效果，最终在输出端输出控制信号的增强版。

场效应管的工作原理和开关一样，控制信号是由栅极和通道之间的电场构成，当栅极给定的电压足够大时，会在源和漏极之间产生一个电场，使得电子得到加速从而形成在通道内形成导电，进而使得漏出端流过电流。

4.晶体管和场效应管的区别

晶体管和场效应管在结构上和工作原理上都有非常大的不同。晶体管是三极管，由P、N、P三极管构成；场效应管属于四极管，由源、栅和漏出三极结构加上氧化膜管制。在一些电路中，晶体管更常被用作放大器的任务而场效应管则被用来代替双极晶体管在开关电路中被使用。

另外，晶体管的性能受到温度的影响非常大，在高温下性能会大幅降低；而场效应管的性能稳定，更适合高温环境中的使用。

在响应速度方面，晶体管具有优势，响应时间通常在纳秒级别；而场效应管的响应时间较长，但适用范围更广。

总之，晶体管和场效应管都是非常重要的半导体器件，根据具体的应用场合选择合适的器件是非常重要的。