安世半导体热插拔MOSFET与碳化硅二极管入围年度功率半导体

 

   一年一度的全球电子成就奖评选（World Electronics Achievement Awards)正在火热进行中，该奖项旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者。今年，Nexperia（安世半导体）的热插拔MOSFET与碳化硅肖特基二极管两款明星产品现已双双入围年度功率半导体！

采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET)

同时兼顾低RDS(on)和强大线性模式性能，并提供业界领先的功率密度

碳化硅(SiC)肖特基二极管(650 V, 10 A) - PSC1065K20

将小尺寸、高效率与耐用性的优点集于一身，可显著降低系统复杂性

关键技术：

强大的线性模式性能可高效可靠地管理浪涌电流。当ASFET完全导通时，低RDS(on)可最大限度地降低I2R损耗。封装尺寸更紧凑之外，Nexperia的第三代增强SOA技术与前几代D2PAK封装相比还实现了10% SOA性能改进（在 50 V、1 ms 条件下，电流分别为33 A和30 A）。

产品优势：

采用紧凑型8x8 mm LFPAK88封装，且具有增强安全工作区(SOA)的特性。这些 ASFET 提供 80 V 和 100 V 两种型号，兼顾低RDS(on)和强大线性模式性能，非常适合进的电信和计算设备中要求苛刻的热插拔和软启动应用。与前几代产品相比具有增强的SOA、数据手册中提供了经过全面测试的高温下SOA曲线，以及节省空间的尺寸，为热插拔和计算应用提供了优化的解决方案，提供了业界领先的功率密度改进。

此外，另一款80 V ASFET产品PSMN1R9-80SSE（80 V，1.9 mΩ），旨在响应计算服务器和其他工业应用中使用48 V电源轨的增长趋势，在这些应用中，环境条件允许MOSFET采用较低的VDS击穿电压额定值。

应用场景：

“热插拔”和“软启动”系统中的浪涌管理；48V 电信和以太网供电 PoE 系统；12V计算服务器系统；电子保险丝和电池管理系统

碳化硅(SiC)肖特基二极管(650 V, 10 A)

 

关键技术：

合并PIN（MPS） 碳化硅肖特基二极管

产品优势:

具备不受温度影响的电容开关和零恢复性能，提供先进的性能以及出色的品质因数(QC x VF)。其突出的开关性能几乎不受电流和开关速度变化的影响。

合并PIN肖特基(MPS)二极管通过在制造过程中降低芯片厚度而进一步提高其性能，并具备其他优势，例如出色的浪涌电流耐受能力，从而无需额外的保护电路。这些特性可显著降低系统复杂性，使硬件设计人员能够在耐用型高功率应用中，以更小的外形尺寸实现更高的效率。

采用真2引脚(R2P) TO-220-2通孔电源塑料封装。其他封装选项包括表面贴装(DPAK R2P and D2PAK R2P)和采用真2引脚配置的通孔(TO-247-2)封装，可在高达175°C的高压应用中增强可靠性。

应用领域:

该工业级器件可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器，并提高持续运行性能

 

        审核编辑：彭菁