氮化镓(GaN)技术创新概况 氮化镓衬底技术是什么
模拟技术
2348人已加入
描述
氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料
➢氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料
编辑：黄飞
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
氮化镓发展评估2017-08-15 0
-
MACOM：硅基氮化镓器件成本优势2017-09-04 0
-
IFWS 2018：氮化镓功率电子器件技术分会在深圳召开2018-11-05 0
-
什么阻碍氮化镓器件的发展2019-07-08 0
-
什么是氮化镓（GaN）？2019-07-31 0
-
氮化镓GaN 来到我们身边竟如此的快2020-03-18 0
-
什么是氮化镓技术2020-10-27 0
-
氮化镓GaN技术促进电源管理的发展2020-11-03 0
-
氮化镓功率半导体技术解析2021-03-09 0
-
请问氮化镓GaN是什么？2021-06-16 0
-
氮化镓充电器2021-09-14 0
-
为什么氮化镓(GaN)很重要？2023-06-15 0
-
氮化镓: 历史与未来2023-06-15 0
-
有关氮化镓半导体的常见错误观念2023-06-25 0
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !
