传苹果自研5G基带芯片将于2025年面世；鸿海拟与意法半导体联手在印度建设芯片厂

热点新闻

1、传苹果自研5G基带芯片将于2025年面世，iPhone SE 4首发搭载

 

 

 

据报道，苹果正在开发第四代iPhone SE手机（暂称iPhone SE 4），该产品将进行重大重新设计。iPhone SE 4显示屏预计会更大，类似iPhone 14采用的全面屏。另外，苹果将放弃物理Home按键，转而提供Face ID进行身份验证。该设备还将通过更好的基带芯片（或称调制解调器）和处理器进行内部改进。分析师郭明錤表示，苹果为iPhone定制的5G基带芯片将于2025年首次亮相，有可能会随着iPhone SE 4的发布而推出。

 

 

 

郭明錤表示，iPhone SE 4将是首款配备苹果自研5G基带芯片的设备。虽然这些只是现阶段的猜测，但该公司正在大力投资，以摆脱高通设计的基带芯片。高通长期以来一直为苹果供应iPhone 5G基带芯片。苹果已经收购英特尔智能手机调制解调器业务的很大一部分，并将继续为iPhone测试和构建其内部基带芯片。

 

产业动态

2、外媒：鸿海拟与意法半导体联手在印度建设芯片厂

 

 

 

援引知情人士消息报导，鸿海(富士康) 正在与意法半导体(STMicroelectronics NV) 联手在印度建设一家半导体工厂，盼获得印度政府支持以扩大在该国的业务。

 

 

 

知情人士表示，鸿海和意法半导体正在向印度政府申请补助建设一座40纳米芯片工厂。这种成熟制程技术的芯片常用于汽车、相机、印表机和各式各样的其他机器。鸿海曾试图与印度亿万富豪阿加渥(Anil Agarwal) 的Vedanta Resources建立合作关系，然而一年来进度甚微，最终破局。此次透过与意法半导体合作，芯片代工制造商鸿海利用前者在芯片产业先驱的专业知识，扩张利润丰厚但困难重重的半导体业务。

 

 

 

3、外媒：目前为止仅发现华为Mate 60 Pro内存为进口 其余部件中国制造

 

 

 

据报道，华为公司的Mate 60 Pro智能手机除了主处理器外，还采用了异常高比例的中国零部件，这表明中国在发展国内技术能力方面取得了进展。

 

 

 

据本周报道，华为手机搭载了在中国设计和制造的7纳米麒麟处理器，这是中国芯片制造行业的一项突破。然而，根据TechInsights拆解该设备的最新一轮分析，华为还使用了中国公司生产的许多其他组件。该手机的射频前端模块来自昂瑞微（Beijing OnMicro Electronics Co.），卫星通信调制解调器来自华力创通（Hwa Create Co.）。分析显示，其射频收发器来自广州天润芯科技（Guangzhou Runxin Information Technology Co.）。

 

 

 

4、三星开发新一代“缓存DRAM”：能效提升60%，速度延迟降低50%

 

 

 

据报道，继高带宽内存（HBM）之后，三星电子将开发新一代DRAM技术。援引业内消息称，三星先进封装（AVP）业务部门正在开发“Cache DRAM”（缓存DRAM）的下一代DRAM技术，目标是在2025年开始量产。据报道，三星透露，与HBM相比，缓存DRAM将能效提高60%，并将数据移动延迟降低50%。

 

 

 

有传言称，三星缓存DRAM将采用与HBM不同的封装方法。HBM目前水平连接到GPU，但缓存DRAM将垂直连接到GPU。由于HBM垂直连接多个DRAM以提高数据处理速度，因此有报道称，缓存DRAM只需要一颗芯片即可存储与整个HBM相同数量的数据。

 

 

 

5、腾讯混元大模型正式亮相：参数规模超千亿，已在多个内部产品测试

 

 

 

在2023 腾讯全球数字生态大会上，腾讯正式发布混元大模型。据介绍，混元大模型参数规模超千亿，预训练语料超 2 万亿 tokens，腾讯云、腾讯广告、腾讯游戏、腾讯金融科技、腾讯会议、腾讯文档、微信搜一搜、QQ 浏览器等超过 50 个腾讯业务和产品，已经接入腾讯混元大模型测试，并取得初步效果。

 

 

 

该模型同时也服务产业场景，客户可以基于 API 调用混元，也可以基于混元做专属的行业大模型。混元大模型号称能够识别“陷阱”，拒绝被“诱导”回答一些难以回答甚至是不能回答的问题，比如“如何更好地超速”，拒答率提升 20%。

 

 

 

新品技术

6、意法半导体GaN 驱动器集成电流隔离功能，具有卓越的安全性和可靠性

 

 

 

意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单成本，能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。

 

 

 

这款单通道驱动器可连接最高1200V的电压轨，而STGAP2GSN 窄版可连接高达 1700V的电压轨，栅极驱动电压最高15V。该驱动器能够向所连接的 GaN 晶体管栅极灌入和源出最高3A的电流，即使在高工作频率下也能精准控制功率晶体管的开关操作。

 

 

 

7、伍尔特电子推出拨动开关产品系列

 

 

 

伍尔特电子现在同样生产高品质的拨动开关。现有多种不同版本的易用型快速开关提供，产品名称为 WS-TOTV。这些开关符合 IEC 61000-4-2 标准的 EDS 要求，并经过满载条件下的工作耐久性测试，耐用性得到验证（电气寿命：5 万次）。

 

 

 

拨动开关通常用于切换设备的不同功能，因此伍尔特电子同时提供具有ON/OFF/ON 和 ON/ON 切换功能的拨动开关。这些开关提供 SPDT（单极双掷）和 DPDT（双极双掷）电路，有水平和垂直版本可选。额定电压为 30 V 时，载流能力为 1 A。耐压值可达 500 V，工作温度为 -40 至 +85°C。框架符合 UL94 V-0 可燃性等级。

 

 

 

投融资

8、打造硅光领先技术平台，熹联光芯完成超亿元B-2轮融资

 

 

 

近日，苏州熹联光芯完成了超亿元B-2轮融资。本轮融资由老股东昆仑资本和弘毅投资联合领投，江苏云荣通、苏州创投等机构共同参与。

 

 

 

熹联光芯成立于2020年，由半导体、硅光及金融等领域多位资深专家领头，致力于打造硅光领先技术平台，努力推动全球5G、数据中心及数字化进程。为了快速实施在硅光领域的战略布局，熹联光芯于2021年10月份完成了对德国Sicoya GmbH的100%股权并购。

 

 

 

9、中昊芯英完成数千万新一轮融资，推动大模型建设布局

 

 

 

近日，中昊芯英完成数千万Pre-B+轮融资，本轮融资由杭州华夏恒天资本参与投资，资金用于推动AI计算集群业务落地。本轮融资完成后，中昊芯英将进一步完善全自主可控算力和大模型建设布局，并于近期完成多个AI计算中心客户的产品交付。

 

 

 

中昊芯英成立于2020年，是一家由硅谷归国经验丰富的大芯片及AI大模型相关软硬件设计专家共同创立的创新型高科技企业，致力于研发支撑超大规模人工智能模型训练的高性能人工智能芯片与计算集群，打造完整的软硬件一体化方案。

 

 

 

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原文标题：传苹果自研5G基带芯片将于2025年面世；鸿海拟与意法半导体联手在印度建设芯片厂

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