16家SiC企业公布成绩单，上半年谁更赚钱？

截至8月31日，16家SiC相关上市公司披露了2023上半年年度报告，其中：

衬底外延方面，天岳先进营收增长超172%，晶盛、合盛等实现8英寸SiC突破，东尼获得大订单。

器件模块方面，三安车规SiC预计24年上车；华润微SiC/GaN收入增长3.6倍；士兰微主驱SiC MOS Q3交付；中芯集成车规级SiC MOS产能2000片/月；斯达新增多个主驱SiC模块定点；扬杰主驱碳化硅模块预计25年上车……

更多的财报内容和企业的碳化硅进展，请往下看：

SiC衬底/外延：天岳、三安、东尼、合盛、晶盛

初步统计，天岳先进、三安光电、东尼电子、合盛硅业、晶盛机电等SiC衬底/外延企业营收和利润情况请看下表：

● 天岳先进：营收增长172.38%

报告显示，天岳先进2023年H1营收4.38亿元，同比增长172.38%；净利润-0.72亿元，同比增长1.29%。

天岳先进已经实现 6 英寸导电型衬底、6 英寸半绝缘型衬底、4 英寸半绝缘衬底等SiC产品的：规模化供应，并自主扩径完成高品质 8 英寸导电型碳化硅衬底制备。报告期内，公司营业收入主要来自于6 英寸导电型产品销售。

根据今年5月上海临港新片区管理委员会对外公示的《关于“天岳半导体碳化硅半导体材料项目（调整）”》的环评审批意见，根据公告，调整后，6英寸碳化硅晶片生产规模扩大至96万片/年，产能将增加220%。

报告期内，天岳先进高品质SiC衬底获得国际客户的认可。今年5月，天岳先进与英飞凌签订了合作协议，8月24日，天岳先进与客户F签订了一份碳化硅采购协议，约定2024年至2026年向合同对方供应碳化硅产品，合同价值预估为8.05亿人民币。

● 三安光电：车规SiC 24年上车 

报告显示，三安光电2023年H1营收64.69亿元，同比下降4.33%；净利润1.70亿元，同比下降81.76%。

报告期内，三安光电SiC产能达15000 片/月。湖南三安 6 吋碳化硅衬底已通过数家国际大客户验证，并实现批量出货，8 吋SiC衬底已实现小批量试制。

SiC MOSFET 80mΩ 产品已在光伏及车载充电机客户端导入批量订单；车规级 1200V 16mΩ 已在数家战略客户处进行模块验证，预计于 2024 年正式上车量产。

此外，湖南三安与理想合资成立的规划年产 240 万只碳化硅半桥功率模块苏州斯科半导体，已完成动力设备安装、调试，待产线通线后进入试生产。与意法半导体在重庆共同设立合资代工公司，预计2025 年完成阶段性建设并逐步投产，2028 年规划达产后产能为 10000 片/周。

● 东尼电子：签订6.75亿大订单

报告显示，东尼电子2023年H1营收7.77亿元，同比下降7.30%；净利润-0.66亿元，同比下降207.41%。

2023上半年，东尼电子募集资金投资项目“年产12万片碳化硅半导体材料”已实施完毕。今年1月，东尼电子子公司东尼半导体与下游客户 T签订《采购合同》，约定东尼半导体2023 年向该客户交付 6 英寸碳化硅衬底 13.50 万片，含税销售金额合计人民币6.75 亿元；2024年、2025 年分别向该客户交付 6 英寸碳化硅衬底 30 万片和 50 万片。

● 合盛硅业：顺利研发8吋SiC衬底

报告显示，合盛硅业2023年H1营收119.38亿元，同比下降8.17%；净利润17.82亿元，同比下降49.71%。

SiC业务发展方面，目前合盛硅业已完整掌握了SiC全产业链核心工艺技术，SiC生产线具备量产能力，产品良率处于国内企业领先水平。其中6 英寸衬底和外延片已得到国内多家下游器件客户的验证，并顺利开发了日韩、欧美客户；8 英寸SiC衬底研发顺利，并实现了样品的产出。

此外，碳化硅衬底及外延片产业化生产线项目正在建设中。

● 晶盛机电：已建8吋SiC衬底试验线

报告显示，晶盛机电2023年H1营收84.06亿元，同比上升92.37%；净利润22.06亿元，同比增长82.78%。

晶盛机电产品包括SiC衬底和外延设备。据报告显示，晶盛机电还通过自有籽晶多轮扩径，成功生长出 8 英寸 N 型SiC晶体，建设了 8 英寸SiC衬底研发试验线。

上半年，晶盛机电6 英寸SiC外延设备实现批量销售且订单量快速增长，成功开发具有国际先进水平的 8 英寸单片式SiC外延生长设备。

SiC器件/模块：华润微、士兰微、中芯、斯达、中车、扬杰、纳芯微

2023上半年，华润微、士兰微、中芯集成、斯达半导体、中车时代、扬杰科技和纳芯微等SiC器件/模块企业成绩单请看下表：

● 华润微：SiC/GaN收入增长3.6倍

报告显示，华润微2023年H1营收50.30亿元，同比下降2.25%；净利润7.78亿元，同比下降42.57%。

在报告期内，SiC和GaN功率器件销售收入同比增长约 3.6 倍，碳化硅 JBS G3 较 G2 平台电流密度预计提升 10%，碳化硅 MOS 性能对标国际一流，持续丰富 G1、G2 平台产品系列化，助力碳化硅 MOS 在新能源汽车、光伏储能、工业电源等领域多个客户规模上量。

此外，碳化硅 MOS 上半年月度销售额持续攀升，在SiC功率器件销售中的比例逐步提升至50%以上，与此同时，车规级 SiC MOS、SiC 模块研发以及 HPD 预研工作正在有序推进。

氮化镓方面，华润微在通讯、工控、照明和快充领域实现近10家行业头部客户合作。针对工控和通讯领域的氮化镓三代产品芯片能量密度明显提升，封装体明显减小，开发工作有序推进。另外，氮化镓 8 吋工艺及产品平台研发已实现全流程通线，静态电性等符合预期。

● 士兰微：主驱SiC MOSQ3交付、产能年底6000片/月

报告显示，士兰微2023年H1营收44.76亿元，同比增长6.95%；净利润-0.41亿元，同比下降106.88%。

报告期内，士兰微用于光伏的 IGBT 器件（单管）、逆变控制模块、SiC MOS 器件实现批量出货。此外，士兰微已完成第二代平面栅 SiC-MOSFET 技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。基于公司自主研发的Ⅱ代 SiC-MOSFET 芯片生产的电动汽车主电机驱动模块，已通过部分客户测试，争取在今年三季度实现批量生产和交付。

2023 年上半年，士兰微加快推进“士兰明镓 SiC 功率器件芯片生产线”项目的建设。截至目前，士兰明镓已形成月产3000片6 英寸 SiC 芯片的生产能力，预计2023 年年底将形成月产6000片6 英寸 SiC 芯片（SiC MOSFET 和 SiC SBD）的生产能力。

● 中芯集成：车规级SiC MOS产能2000片/月 

报告显示，中芯集成2023年H1营收25.20亿元，同比上升24.09%；净利润-11.09亿元。

经过两年的研发和可靠性验证，中芯集成SiC MOSFET 技术研发已完成工艺平台搭建，并已完成全系列产品参数及可靠性认定，用于新能源汽车主驱逆变的 SiC MOSFET 已实现批量生产(2000片/月)和装车，产能利用率超过 90%，接下来还将进一步扩大量产规模。

8月31日，中芯集成发布公告，公司拟投资设立控股子公司——芯联动力，主要从事SiC等宽禁带半导体的工艺研发、生产及销售业务。其中拟参股方包括多家股权投资机构，包括上汽集团、小鹏汽车、宁德时代、立讯精密、阳光电源、瑶芯微等多家新能源（包括汽车与能源）企业及其下属产业投资机构。

● 斯达半导体：新增多个主驱SiC模块定点

报告显示，斯达半导2023年H1营收16.88亿元，同比上涨46.25 %。净利润4.30亿元，同比增长24.06%。

上半年，使用斯达半导自主 SiC MOSFET 芯片的车规级 SiC MOSFET 模块在主电机控制器客户完成验证并开始小批量出货。

同时新增多个使用车规级 SiC MOSFET 模块的 800V 系统的主电机控制器项目定点，这将对斯达半导 2024-2030年主控制器用车规级 SiC MOSFET 模块销售增长提供持续推动力。

● 中车时代：新能源车用SiC产品持续验证

报告显示，中车时代半导体2023年H1营收85.70亿元，同比增长31.31 %；净利润11.54亿元，同比上升32.52%。

报告期内，中车时代开发了高性能、高可靠的750V-3300V的 SiC 器件，产品批量应用于机车、动车、城轨、柔性输电、矿用变频、风电、光伏、高端工业装备等领域。新能源车用 SiC 产品处于持续验证阶段，SiC 产线升级改造项目进度正常，SiC 产品开发加速推进。

此外，中车时代还构建了全套特色先进碳化硅工艺技术的 4 英寸及 6 英寸兼容的专业碳化硅芯片制造平台；完成基于 SiC 半导体功率器件辅助变流器样机（180kVA）的研制，并着手研制250 kW高压大功率碳化硅油冷电驱总成。

● 扬杰科技：1200V SiC MOS累计出货超1kk，主驱碳化硅模块25年上车

报告显示，扬杰科技2023年H1营收26.25亿元，同比下降11.07 %。净利润4.11亿元，同比下滑30.05%。

2022 年开始，扬杰科技陆续完成1200V 17-240mohm、650V 20-120mohm SiC MOSFET 产品开发上市，1200V MOS 平台的比导通电阻（RSP）做到 3.5mΩ.cm2 以下，FOM 值达到 3300mΩ.nC 以下，目前累计出货量已突破 1kk。

车载模块方面，自主开发的 HPD 以及 DCM 全碳化硅主驱模块将在今年完成 A 样试制，目前已经获得多家Tier1 和终端车企的测试及合作意向，计划于 2025 年完成全国产主驱碳化硅模块的批量上车。

● 纳芯微：推出SiC 二极管、SiC MOSFET

报告显示，纳芯微2023年H1营收7.24亿元，同比下降8.80 %；净利润-1.32亿元，同比下降167.48%。

报告期内，纳芯微推出了首款 SiC 二极管系列新品并全面送样。除 SiC 二极管产品外，公司也在积极研发和验证 1200V SiC MOSFET 产品。

在第三代半导体技术方面，纳芯微利用SiC材料，实现大功率开关管及二极管等功率器件应用。SiC二极管基于混合式 PIN-肖特基二极管技术，推出了 1200V系列产品，可实现超低导通电压<1.4V,极低的反向漏电流 uA 级，额定电流 10 倍以上的抗浪涌电流能力；SiC MOSFET 器件基于平面栅工艺，推出新一代自对准高电流密度产品，可实现优异的比导通电阻参数<4mohm2，损耗更低，同时兼容 15V/18V 驱动电压。

SiC设备：北方华创、晶升、连城、高测 营收、利润大幅增长

2023年上半年，北方华创、高测股份、连城数控与晶升股份4家SiC设备企业营收增长迅速，净利润也大幅上升，详见下表：

● 北方华创：外延设备累计出货1000腔

报告显示，北方华创2023年H1营收为84.27亿元，同比增长54.79 %；净利润17.99亿元，同比上升138.43%。

北方华创凭借20余年在半导体装备领域的成熟经验，可为碳化硅产业链提供长晶、外延、刻蚀、薄膜、高温氧化/激活等多种核心工艺设备，且已实现批量应用，为客户技术创新及迭代打造全面装备解决方案。

外延设备方面，北方华创已发布包括8英寸及以下的单片及多片大产能硅外延设备、12英寸硅外延设备、4/6/8英寸碳化硅外延设备、8英寸及以下单片及多片大产能硅基氮化镓外延设备，共发布20余款量产型外延设备，累计出货近1000腔。

● 高测股份：8寸SiC切片机设备订单9台

报告显示，高测股份2023年H1营收25.21亿元，同比增长88.80 %；净利润7.14亿元，同比上升201.27%。

2022年他们推出的碳化硅金刚线切片机和碳化硅专用金刚线已形成批量销售，2022年底行业内首次推出了GC-SCDW8300型碳化硅金刚线切片机，可兼容8寸和6寸碳化硅晶片的切割需求。目前，该8寸碳化硅金刚线切片机设备已签订订单9台，并已经在头部客户实现试用，受到客户一致认可。

● 连城数控：液相法长晶炉获数台订单

报告显示，连城数控2023年H1营收18.91亿元，同比增长55.16 %；净利润2.33亿元，同比上升30.35%。

2023 年上半年，连城数控技术研发成果包括创新推出单晶炉设备“一键拉晶”系统、液相法碳化硅长晶炉顺利下线并取得客户数台订单、碳化硅立式感应合成炉科研成果通过专家团鉴定等。

截至2023年6月末，该公司设备类产品在手订单90.06亿元左右，其中晶体生长及加工设备订单77.94亿元。

● 晶升股份：8英寸碳化硅长晶设备已实现交付

报告显示，晶升股份2023年H1营收1.14亿元，同比增长75.79 %；净利润0.15亿元，同比上升447.17%

报告期内，晶升股份开展了多个SiC设备在研项目，包括8英寸碳化硅单晶炉改进、碳化硅单晶炉自动化系统开发、电阻炉大尺寸碳化硅单晶生长工艺研究、碳化硅原料合成工艺优化、多片式碳化硅外延设备开发等。

晶升股份宣布其在7月初已向多家客户交付了8英寸碳化硅长晶设备，部分客户已经取得了一定的研发成果，并正在不断优化工艺制程。