如何计算芯片内部自研IP模块的FIT的数值

Q1

图中这个分层是哪里导致的？

A1

die attach，银浆分层，最好有个reference对比判断，看起来die attach的波幅太大了，找根因还是需要FA看看细节。            

Q2

在芯片设计阶段，如何计算芯片内部自研IP模块的FIT的数值呢？

A2

在设计功能安全芯片的过程中计算硬件架构度量（SPFM，LFM，PMHF）中一般是根据IEC TR62380或是SN 29500等标准计算芯片总的failure rate，然后将failure rate分配到各功能模块，在配合各功能安全模块的诊断覆盖率计算芯片SPFM，LFM，PMHF。以确定芯片这几项指标是否达到对应ASIL等级要求，如果这几项指标不达标，说明芯片安全机制诊断覆盖率不够，芯片的架构设计需要继续优化。IEC TR62380是根据统计汇总出来的Mission profiles，建立一个由关于温度π（t），温差ΔT，芯片材料膨胀系数π（α）等因子组成的推测产品failure rate 的统计模型。

Q3

芯片裂纹、崩边的规定出自哪份jedec标准？

A3

JEDEC Standard No.22-B118A。

Q4

TJ-max（recommended) 和TJ-max（absolute）的区别是什么？

A4

TJ的解释。

Q5

怎么确定这两个温度呢，比如常规CMOS工艺，一般我们做可靠性都是Tj>125℃的。很多datasheet上只有一个TJ max是125℃，没有特别说是recommended还是absolute？

A5

absolute问fab和你们的DE；recommend要看你们怎么给客户规定了，也许产品能力有150℃，但data sheet只推荐125℃。

Q6

封装可靠性的TCT700，FT回测发现出现了两种失效，一种是内部数字电路逻辑失效了，另一种是电源的漏电变大了很多，这种怎么分析呀？

A6

看看是否有湿气进去造成漏电变大，做下SAT看看是否有分层造成逻辑失效，TCT评估封装的，主要和封装相关；可以烤一烤试试，或者清洁一下管脚，可能是接触电阻变大了。

Q7

为什么CUP芯片打线建议要用银合金，镀钯铜不建议用，是芯片pad架构跟常规芯片不一样吗？有没有知道详细些的？

A7

CUP芯片不允许有裂纹，合金线和金线软一点，作业性好一点；铜线力大，版图不合理的话焊球下方容易出现裂纹；芯片打线实际上是，共金工艺，使用了高温+超声波，达到融焊的效果，这样的话芯片受压力小，不容易破裂。所以对线材有要求，铜打线一般是压焊工艺，压力大，对于以前一些老工艺低成本的芯片可以用，但是芯片表面的PAD处理方式和金打线是不同的。不同的打线方式用不同的线材，这些芯片设计初期就要和晶圆厂沟通好，把后期封装打线方式都要考虑进去。

Q8

什么样的芯片出货使用卷带包装，什么样的该采用Tray盘出货，有没有什么规定的？

A8

QFP类的一般都是TRAY盘，SOP类的料管和卷带都有，DFN/QFN这类无外放引脚的看体积，卷带居多，5X5以上可以用TRAY盘，主要是太重，转塔式的测编吸不住。

Q9

现在一般的SMT，卷带上料和Tray盘上料是否都能支持的？Tray盘交货是否影响SMT的上料？

A9

对于SMT来说，卷带是效率最高的，能用卷带肯定优先用，实在没有才考虑其他方式。料管和TRAY盘设备方面都能支持，但要看工厂是否会配齐硬件。

Q10

消费类芯片工规的可靠性测试标准，HAST是必做项吗？

A10

HTOL、HAST目前都是必做项。

Q11

盛装芯片的tray盘，其表面阻抗范围是否有标准？

A11

10的9次方以下。

Q12

wafer超期需要做哪些验证？

A12

做MSL3看看有没有分层，也可以做快速ORT IR*3+UHAST48+TC100。

Q13

通常wafer在氮气柜中保存多久后，会认为是超期呢？

A13

general是3年的shelf life，自家产品可以和foundry再确认下。

Q14

关于ESD的验证，HBM、CDM、MM要怎么样去分解安排实验呢？

A14

JEDEC规范经过更新，已经明文说明MM模式已经能被CDM、HBM等覆盖，不需额外测MM。MM主要是在生产过程中的机械静电对芯片的直接放电伤害，中间没有电阻限流，所以通过电压值低于CDM、HBM。但是车规和其它特殊可靠性需求，部分客户还是有测MM的需求。

Q15

JEDEC中HBM和Latch up的判定条件仅仅是I/V的变化率吗？对功能测试有要求吗？

A15

Q16

对于已经塑封好的DFN产品，有什么方法可以使某一个Pin脚和中间的基岛相连接么？

A16

找季丰局部开盖，焊线连上，然后黑胶封上。

Q17

Thermal热点和OBIRCH热点分别适用哪种情况？缺陷漏电大于2mA是不是两种方式都能用？

A17

有compound用thermal，没有compound两种都可以。OBIRCH原理：激光束在IC表面扫描，激光束的部分能量被IC吸收转化为热量，造成被扫瞄区域温度变化，若IC金属互联机中存在缺陷或者空洞，这些区域附近的热量传导不同于其它的完整区域，则该区引起的温度变化会不同，从而造成金属电阻值改变。Thermal原理：利用InSb材质的探测器，接收失效点通电后产生的热辐射分布，藉此定位失效点位置。适应范围： 漏电，高阻抗，短路OBIRCH，Thermal都可以定位，其中带封装的样品/电容漏电短路/PCB板失效的使用Thermal定位，小电压漏电，小漏电优先使用OBIRCH定位。

Q18

封装铜线打线产品，线经约粗50um左右，大部分是裸铜线居多还是钯铜或者金钯铜线多？若是裸铜，原因是什么呢，没有Pd的话IMC不是会生长过快么？

A18

纯铜线只有价格优势的吧，镀金和钯主要还是为防止FAB氧化和一致性，提高焊接强度和CPK。镀钯应该是可以减缓IMC生长的，这点可以参考镀钯金线，因为金和铝更容易共金；不过使用纯铜线除了IMC还会有各种其他可靠性行问题，潮湿酸性环境也扛不住。铜铝imc只有在150度以上高温才会快速生长，这是我们1000小时HTOL后的IMC生产情况，只有薄薄一层，用的是金钯铜，参考如下：

Q19

先进制程中，这个操作电压下降，为何热载流子的光波长变得较长？这个怎么理解呢？

A19

这个应该这么理解，电压下降热载流子能量降低，光子能量（eV）*波长（nm）=1240；这个是光频率里面的，跟射频频率不同。

        审核编辑：彭菁