EUV光刻胶开发面临哪些挑战?

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全球智能化设备的需求不断增长,推动了半导体行业的创新。极紫外光刻(EUVL)技术是半导体制造的核心技术之一,能够实现更小的特征尺寸,从而实现器件的小型化。全球的研究人员和公司正在专注于开发新型极紫外(EUV)光刻胶材料,以支持纳米级分辨率的EUVL图案化并提高半导体器件的性能。

EUV

光刻是半导体制造中的关键步骤,传统光刻使用深紫外光,但随着器件尺寸的减小,EUV光刻变得必不可少。EUV光的工作波长较短,能够以高精度打印更小的特征,因此EUV光刻胶材料至关重要。

这些创新材料通常分为化学放大光刻胶(CAR)、非化学放大光刻胶、无机EUV光刻胶和混合EUV光刻胶,能够承受高能EUV光子并提供高分辨率图案化能力。

化学放大光刻胶(CAR):这是最常用的EUV光刻胶类型。它们使用光致产酸剂(PAG),在受到EUV光子曝光时生成酸。这种酸会催化抗蚀剂中的化学反应,导致曝光区域在显影过程中溶解。CAR因其高灵敏度而著名,适用于低剂量的EUV曝光,可以提高半导体制造的产量。这些材料可能在光学设备、显示器和高级封装中找到应用。

无机EUV光刻胶:这些材料具有不同的EUV吸收系数和高蚀刻能力,对解决一些现有问题具有重要意义。无机光刻胶材料不同于有机CAR,由无机材料组成,如金属氧化物或含金属化合物。工作原理是将丙烯酸作为有机配体的金属氧化物系统应用于EUV光刻。相较于有机光刻胶,无机光刻胶有望提供更高的热稳定性,并减少释气。这些材料可能在极端环境或特定的半导体工艺中应用。

非化学放大光刻胶:与CAR不同,非化学放大光刻胶不依赖于酸催化反应。它们在EUV曝光后直接发生光解反应,导致溶解度发生变化。这些材料通常需要更高剂量的EUV光来进行图案化,并正在研究以满足特定应用和工艺需求。

混合EUV光刻胶:混合EUV光刻胶将有机和无机元素结合在一起,充分发挥了两种材料类型的优势。通过在配体交换反应后选择用于纯化步骤的树脂作为用叔胺、哌啶和二甲胺官能化的聚苯乙烯树脂来发挥作用。旨在提供增强的灵敏度、分辨率和热稳定性,以解决纯有机或无机光刻胶的一些限制。

EUV

EUV光刻胶材料是光敏物质,当受到EUV光子照射时会发生化学变化。这些材料在解决半导体制造中的各种挑战方面发挥着关键作用,包括提高灵敏度、控制分辨率、减少线边缘粗糙度(LER)、降低释气和提高热稳定性。

EUV

EUV光刻胶材料的开发面临多项主要挑战,这些挑战包括:

EUV灵敏度:EUV光刻的关键挑战之一是材料的灵敏度。开发和优化能够有效吸收EUV光并与之反应,以在半导体晶圆上产生精确图案的光刻胶材料非常困难。由于EUV光子稀缺且昂贵,需要具有高灵敏度的光刻胶材料,以在制造过程中实现每小时100至120片晶圆的足够吞吐量。

分辨率和LER(线边缘粗糙度):随着特征尺寸的减小,保持高分辨率而不产生过大的线边缘粗糙度(LER)成为挑战。EUV光刻胶中LER的一个重要潜在来源是由于高光子能量而产生的光子散粒噪声。LER挑战涉及最大限度地减少已开发光刻胶线边缘的不规则性或粗糙度,以确保晶体管特征的边缘更平滑、更精确。

脱气:EUV光刻过程中的脱气问题是指在EUV光曝光期间从光刻胶中释放挥发性有机化合物(VOC)或其他材料。这些脱气材料可能会污染周围环境,包括EUV光刻设备中使用的光学器件和镜子。控制和最大限度地减少排气对于维持整个EUV光刻工艺的可靠性和效率至关重要。

热稳定性:EUV曝光会产生大量热量,需要在高能条件下保持光刻胶材料的稳定性。许多应用需要具有优异热稳定性的涂层,因为大多数市售去除剂在热负荷高达130°C后会迅速溶解抗蚀剂层。

在面对这些挑战的同时,研究人员也在不断探索新型EUV光刻胶材料,以应对未来半导体制造的需求。这些新材料的发展可能包括高灵敏度、低剂量的材料,改进的分辨率和LER控制,减少释气问题,以及具有更强热稳定性的解决方案。这些进步将有助于推动半导体技术的发展,实现更小、更强大的半导体器件,从而在各个领域带来更多的可能性和创新。

 

未来,新型EUV光刻胶材料的应用将推动半导体技术的发展,使设备更小、更强大,推动各个领域的技术创新。协作和创新将继续是关键因素,确保半导体行业满足不断增长的需求,支持电子设备的不断进步。

编辑:黄飞

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