三安半导体首发8英寸碳化硅衬底,国内8英寸加速布局!

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近期,三安半导体发布消息称,公司携碳化硅全产业链产品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET外,三安半导体还首发了8英寸碳化硅衬底。三安半导体表示,展会上有多家重要客户在详细询问三安半导体产品参数后,表示已经确认采购意向。

湖南三安半导体属于三安光电下属子公司,主要业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务,目前建立具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地。湖南三安半导体是三安光电在SiC领域布局的重点项目。

从产能来看,湖南三安现有SiC产能15,000片/月,较2022年底新增3,000片/月,提升25%;GaN-on-Si(硅基氮化镓)产能2,000片/月。其6英寸碳化硅衬底已通过数家国际大客户验证,并实现批量出货,且2023年、2024年供应已基本锁定。此外,三安已签署的碳化硅MOSFET长期采购协议总金额超70亿元,另有几家新能源汽车客户的合作意向在跟进。

值得注意的是,湖南三安与理想合资成立的规划年产240万只碳化硅半桥功率模块苏州斯科半导体,已完成动力设备安装、调试,待产线通线后进入试生产。

今年6月,三安光电宣布与意法半导体在重庆成立合资公司,双方将携手新建一座8英寸碳化硅器件制造厂。据悉,该工厂全部建设总额预计约达32亿美元,计划于2025年第四季度开始生产,2028年全面建厂,将采用ST的碳化硅专利制造工艺技术生产碳化硅器件,湖南三安持股比例为51%,意法半导体持股比例为49%。

加速8英寸布局

化合物半导体市场对国内主流SiC企业的8英寸衬底进度进行了统计,除了三安光电之外,目前国内在研发8英寸衬底的企业及机构还有烁科晶体、晶盛机电、天岳先进、南砂晶圆、同光股份、中科院物理所、山东大学、天科合达、科友半导体、乾晶半导体等。其中烁科晶体、天科合达以及晶盛机电相对来说进度比较快。

衬底之外,外延企业也在加速建设8英寸产能,东莞天域计划购置94.7 亩地用于建设SiC外延材料研发及产业化,用于SiC外延关键技术的研发及全球首条8英寸SiC外延晶片生产线的建设。此外,瀚天天成位于同翔高新城的SiC产业园的三期项目也极有可能是定位8英寸SiC外延,这两家企业目前都在IPO阶段。

总体而言,随着三安光电8英寸衬底的发布,SiC市场会越来越热闹,竞争也会越来越激烈,从长期来看,这有助于产业整体的发展,至于最后哪些企业能够突围而出,这个只能骑驴看唱本。

编辑:黄飞

 

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