工作缘故需要估算下APD的噪声。因为系统的噪声比较大,怀疑可能是APD的缘故,而不是电路设计。如果不是,还可以再从电路方面想办法。所以最近参考了资料,刚好查到了如何估算APD噪声的公式,文本记录下过程,加深理解。
下面以滨松官网上随便找到了一颗Si-APD S9075为例,进行噪声估算。遗憾的是,没办法验证结果是否准确,因为既无法仿真,也没有实验条件测试。不过相关文献中比较详细地介绍了APD噪声计算公式,滨松数据手册中也提供了相关参数,所以我觉得APD噪声估算结果应该还是具有参考价值的。
APD的噪声分为哪几部分组成呢? 图1讲的是PD的两种工作模式,光导模式工作下噪声较高,除了热噪声外还有散粒噪声。APD跟PD类似,应用电路等;但它只能工作在光导模式下,而且除了图1中提到的散粒噪声外,还有过剩噪声。不过APD噪声计算时一般将散粒噪声与过剩噪声合并。
图1 ADI低电平采集传感器关于PD的两种应用
那么先分别简单了解下热噪声和散粒噪声、过剩噪声的物理由来,再进行计算。
热噪声。 自由电子每时每刻做无规则的热运动,如果在导体的任意两点之间观察电压或者电流,会呈现不规则的起伏变化。这被称为热噪声或约翰逊噪声。只要温度高于绝对零度(-273.15℃),电子产生热运动,热噪声就存在于任何电路之中。热噪声谱密度只跟温度和阻值相关。
另外,关于热噪声,有人觉得降低温度会减小热噪声,但改善效果是非常有限的,因为计算热噪声公式里面的温度,用的是热力学温度(开尔文单位),它与摄氏度的换算公式为T(K)=t(℃)+273.15。假如从25℃降低到-20℃,噪声大概减小了不到10%;因为公式里还有一个开方呢!
散粒噪声。 光子转换成电子的过程并不是连续的,具有一定的随机性,这造成输出光电流中具有微小的起伏,这个噪声会成为散粒噪声,或者散弹噪声。散粒噪声是电子的离散性和载流子流动密度的随机性造成的。跟电荷量和电流相关。
过剩噪声。 APD雪崩倍增是一个复杂的过程,从内部微观角度来说,入射光子激发出的自由电子,发生碰撞电离的时间和位置都是随机的,这导致每个载流子不可能经历相同的倍增过程。从外部来看,表现为输出电流具有一定的起伏,这种噪声称为过剩噪声或者过量噪声。
我们把热噪声和散粒噪声(包含过剩噪声)都看作是跟频率无关的,具有白噪声特性的噪声。可以用噪声谱密度A/√Hz描述。
好了。下面开始从Si-APD S9075的数据手册中找到相关的参数,直接代入到公式中计算APD噪声即可。
热噪声公式为Vn=√4KTRB(V),我们一般计算电阻热噪声不用这个公式,或者看图,或者按照25℃下,1K电阻的热噪声为4nV/√Hz去估算其他阻值热噪声。比如10K电阻的热噪声,10K比上1K倍数的开方结果,乘以4nV/√Hz就可以了,即12.64nV/√Hz。如果想要得到噪声有效值再乘以带宽即可,一般我们得到噪声谱密度就够了。 注意,APD输出的是电流信号,所以我们最终要的是电流噪声,In=Vn/R(从公式中也可以了解到,电阻越大电流噪声是越小的,因为Vn随着电阻阻值的开根号增加) 。
散粒噪声(包括过剩噪声)公式也很简单,即Isn=sqrt(2qIp0M^2F)。计算的时候可以用excel做一个表格,更方便也会省得出错。
25℃下APD的热噪声 |
---|
偏置电压 |
漏电流 |
电阻阻值 |
热噪声Vn |
电流噪声In |
APD的散粒噪声(包含过剩噪声) |
电子电荷量q |
输出电流Ip0 |
倍增因子M |
过剩噪声因子F |
散粒噪声 |
APD总噪声 |
表1 计算Si-APD S9075的总电流噪声,其中标绿得地方表示需要查阅数据手册,找到相关参数进行填写
本文写的并不详细,省略了一些不重要的细节。不过大体上可以得知 滨松Si-APD S9075的总电流噪声是非常小的,对比AD8065的电流噪声,它都是小到可以忽略掉的。
图2 适合用于跨阻放大的AD8065运放的电流噪声参数为600pA/√Hz(APD的电流噪声为0.09pA/√Hz)
最后本文主要参考了《跨阻放大器设计参考》一书,算出来的结果是Si-APD S9075APD的噪声很小,但是不太确定APD电流噪声计算的是否正确……
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