电子说
EEPROM(Electrically Erasable Programmable readonly memory)是指带电可编程只读存储器。是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。
中颖Flash型MCU都集成有EEPROM,EEPROM用来存放用户数据。EEROM大小可以通过option(代码选项)选择0~4K不等。EEPROM按照扇区进行划分,每个扇区的大小512字节(较早的产品,每个扇区大小256字节),最多支持8个扇区。
中颖的EEPROM编程/擦除次数:至少100000次
中颖的EEPROM数据保存年限:至少10年
中颖EEPROM的操作原则:
1、必须关闭所有中断
如果在操作EEPROM期间,不关闭中断,可能会导致程序跑飞或者其它异常情况;中颖MCU要求对于EEPROM的擦除和编程,需要按照规定关闭所有中断(EA=0),等到编程完成后再打开中断。
2、如何访问EEPROM
中颖芯片对于EEPROM的读、擦和写都是通过寄存器FLASHCON的FAC位置1来操作。当FAC=0时,MOVC指令或者SSP功能访问Main Block区域;当FAC=1时,MOVC指令或者SSP功能访问类EEPROM区域或信息存储区。
3、操作EEPROM前,清WDT
在对EEPROM的操作前,清WDT,保证操作期间不溢出
4、抗干扰
同时,为了抗干扰,防止误操作,EEPROM编程可以参考如下例程:
uchar ssp_flag; voidEEPromSectorErase(UCHAR nAddrH)// 扇区擦除 { ssp_flag= 0xA5; _push_(IEN0);//中断控制压栈 IEN0 =0x7F;//关总中断 FLASHCON = 0x01; //访问EEPROM区 RSTSTAT = 0; //清WDT XPAGE= nAddrH<<1 ; IB_CON1 = 0xE6; IB_CON2 = 0x05; IB_CON3 = 0x0A; IB_CON4 = 0x09; if(ssp_flag!=0xA5)//增加flag判断,增强抗干扰 goto Error; IB_CON5 = 0x06; _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); Error: ssp_flag= 0; IB_CON1= 0x00; IB_CON2= 0x00; IB_CON3= 0x00; IB_CON4= 0x00; IB_CON5= 0x00; FLASHCON= 0x00;//切回FLASH区 _pop_(IEN0);//恢复总中断 } voidEEPromByteProgram(UCHAR nAddrH,UCHAR nAddrL, UCHAR nData) // 扇区编程 { ssp_flag= 0x5A; _push_(IEN0); //中断控制压栈 IEN0 =0x7F;//关总中断 FLASHCON= 0x01; //访问EEPROM区 RSTSTAT = 0; //清WDT XPAGE= nAddrH; IB_OFFSET= nAddrL; IB_DATA= nData; // 烧写内容 IB_CON1 = 0x6E; IB_CON2 = 0x05; IB_CON3 = 0x0A; IB_CON4 = 0x09; if(ssp_flag!=0x5A) //增加flag判断,增强抗干扰 goto Error; IB_CON5 = 0x06; _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); Error: ssp_flag= 0; IB_CON1= 0x00; IB_CON2= 0x00; IB_CON3= 0x00; IB_CON4= 0x00; IB_CON5= 0x00; FLASHCON= 0x00; //切回FLASH区 _pop_(IEN0); //恢复总中断
来源:中颖电子(作者:丁晓明)
免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行处理
审核编辑 黄宇
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !