存储技术
在SoC中,存储器是决定性能的另一个重要因素。不同的SoC设计中,根据实际需要采用不同的存储器类型和大小。常用的存储器有SRAM、SDRAM、DDRAM、FLASH和ROM。
SRAM(静态随机存储器)的特点是存储速度非常快 ,可以达到和处理器的时钟同步。
而且SRAM存储器的接口简单,比较容易设计 。 SRAM在系统中常常作为处理器的缓存 。但是一个通用SRAM的每1位需要6个晶体管,因此相同存储空间的RAM的面积较大,在SoC中只能少量使用。
SDRAM(同步动态随机存储器)的价格低、体积小、容量大,是SoC中比较理想的存储器件。 与SRAM相比,SDRAM的控制逻辑复杂,速度较慢 。SDRAM每一个内存单元都是由一个能短暂存储电荷的电容器构成。
由于动态内存单元容易失去电荷,因此会失去存储在其中的数据。在SDRAM中,必须包括一个刷新电路,不断地刷新其中的电荷,以使其值保持不变。
DDRAM(双倍传输速度随机存取存储器)采用双倍数据技术 ,支持在时钟的上升沿和下降沿同时进行数据传输,从而增加数据的吞吐量。 其最大带宽可达SDRAM的两倍。当然它的接口设计也更加复杂 。
ROM(只读存储器)是一种只读存储器 ,包括掩膜式ROM、可编程ROM(PROM)、可擦除的可编程ROM(EPROM)和电可擦除的可编程ROM(E2PROM)等。ROM在SoC中一般用来存储固定的代码或资料。
有没有想过ROM只读不写数据怎么进去的?
只读存储器(ROM)是一种用于计算机和其他电子设备的非易失性存储器。
存储在ROM中的数据 在存储设备制造之后不能进行电子修改 。只读存储器用于存储在系统使用寿命内很少更改的软件,也称为固件。可编程设备的软件应用程序(如视频游戏)可以作为包含ROM的插件盒分发。
是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器 。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中,资料并且不会因为电源关闭而消失。
很早以前的rom就是只读的,但是一般rom在当时变成了指代电脑内部(不算硬盘)可断电存储的设备。
但是后来rom慢慢发展出了prom,eprom,eeprom慢慢rom就不只表示只读存储器了。
其实严格意思上现在很多rom属于flash。
早期的ROM因为技术不成熟所以无法擦写,出厂后就只能读数据,所以叫只读存储器,后来随着技术的发展,在ROM的基础上出现了新的半导体存储介质EPROM和EEPROM,这两种可擦写,这就不符合ROM的命名,但是由于是在ROM的技术上衍变出来的,所以延用了一部分原来的叫法,此时非易失的半导体存储介质开始得以广泛应用,被大量用于电脑主板的bios和嵌入式存储,而后来在这两种技术的发展上又发展出了NAND FLASH闪存,这就是我们现在用的U盘中用到的技术,同样,因为其体积小,容量和速度均不错,现在手机存储中的emmc颗粒也是用的这种技术,所以有手机厂商就把手机的存储容量约定俗成为ROM,其继承ROM断电不丢失数据的特性,而且有着较快的速度。
ROM内部的资料是在ROM的制造工序中,在工厂里用特殊的方法被烧录进去的,其中的内容只能读不能改,一旦烧录进去,用户只能验证写入的资料是否正确,不能再作任何修改。如果发现资料有任何错误,则只有舍弃不用,重新订做一份。ROM是在生产线上生产的,由于成本高,一般只用在大批量应用的场合。
ROM是Read Only Memory的简称,即为只读存储器。ROM内部的程序是在ROM的制造时被烧录进去的,其中的内容只能读不能改,一旦烧录进去,用户只能读取内部的数据,不能再作任何修改。如果发现ROM的内容写错,则该ROM芯片只能报废。由于ROM是在生产线上生产的,由于成本高,一般只用在大批量应用的场合。
Flash(闪存)存储器是价格性能兼顾的一种新型的不挥发存储器 。它是EPROM和E2PROM工艺综合的产物,兼顾了这两类存储器的优点。
Flash存储器可以像E2PROM那样进行电擦除和电编程,而且它编程所需要的时间也几乎和E2PROM相同。但是Flash存储器本身的成本却要比E2PROM低。
NOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的Flash存储器。 NOR Flash的特点是芯片内可以直接运行程序 ,而不必再把代码读到系统RAM中。 NOR的传输效率很高,但写入和擦除速度较低,这大大影响了它的性能 。
NAND Flash能提供比较高的单元密度, 可以达到较高存储密度,并且写入和擦除速度也很快 。
NOR Flash的接口比较简单而NAND Flash的接口则要复杂得多。
一般用的NAND,因此安全启动的流程学习中,我们看到镜像必须要搬运到DDR中才能运行。
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