EG8025纯正弦波逆变器集成了两路 600V半桥高压 MOS 管驱动器，驱动能力为±2A

EG8025 是一款采用电流模式、中心对齐 PWM 调制方式和内置两路 600V 半桥高压 MOS 驱动器等一体的
数模结合芯片,专用于逆变器产品。
该芯片采用 CMOS 工艺，内部的主要模块为 SPWM 正弦发生器、死区时间控制电路、多路反馈及保护处
理电路、UART 串口通讯模块等功能。
该芯片采用 LQFP80 和 QFN70 两种封装，只需少量的外围器件，即可实现空载波形失真率小于 1.5%、
满载波形失真率小于 3%和高精度输出电压的特性，能满足逆变器行业的波形要求。
集成了两路 600V 半桥高压 MOS 驱动器，驱动器的输出电流能力为+/-2A，内置四路独立的逐周 PWM 关
断保护，可有效防止在极端情况下过高的峰值电流而损坏 MOS 的情况。另外提供了两路 SD，分别为 SD1，
和 SD2，SD1 是驱动器 1 HO1 和 LO1 的逐周关断引脚，SD2 是驱动器 2 HO2 和 LO2 的逐周关断引脚，结合
MCU 和 SD 功能可实现逆变器的短路保护功能。
EG8025 内置了完善的各项保护功能，提供了直流母线过压和欠压保护、交流输出欠压保护、过载报警
提示、过载保护指示、过流保护指示、过温保护指示及短路保护指示等。
EG8025 内置了 UART 串口通讯功能,用户通过串口可设配置参数，及复位功能等,也可以通过串口读出
逆变器运行的状态及相关数据。
EG8025 支持组三相逆变器功能，通过交流过零信号输出及同步相位信号输入，经光耦隔离电路传输
后，采用串行级联方式，可组成一台相位差 120 度的三相逆变器

 

 采用电流模式、中心对齐 PWM 调制方式，能带感性和容性负载
 SPWM 载波频率 20KHz，适合大功率 MOS 管和 IGBT 管的应用
 集成了两路 600V 半桥高压 MOS 管驱动器，驱动能力为±2A
 集成四路独立的 MOS 管峰值电流保护电路及内置四路 200mV 基准源的比较器供用户设定保护值
 集成了四路高速运放及一路高速比较器，两路运放用于交流电流放大器，一路运放用于交流输出电压
反馈，一路运放用于短路保护和一路比较器用于限流保护
 输出电压和输出电流是每个 PWM 周期实时处理，能实现精确跟踪
 集成同步过零信号输出及可设置的 0 度/120 度相位跟踪，通过级联方式实现组三相逆变器功能
 支持多机应用
 引脚可配置功能：
 H 桥左、右桥臂互换控制
 4 种死区时间可选配置: 300nS、500nS、1uS、1.5uS
 2 种固定正弦波频率可选配置：50Hz、60Hz
 软启动开启和关闭
 逆变器保护功能：
 直流母线电压过压和欠压保护
 输出过载保护
 输出过流保护
 PCB 过温保护和 IGBT 过温保护
 输出短路保护
 串口通讯可设置参数：
 50Hz 纯正弦波固定频率
 60Hz 纯正弦波固定频率
 交流输出电压
 温度保护值
 额定功率保护值
 额定电流保护值
 故障复位
 串口通讯可读参数：
 交流输出电压
 交流输出频率
 交流输出功率
 交流输出电流
 直流母线电压
 故障代码

 

 单相纯正弦波逆变器
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