东科与北京大学成立第三代半导体联合研发中心

 

    9月15日，东科半导体（安徽）股份有限公司与北京大学共同组建的第三代半导体联合研发中心正式揭牌成立。由北京大学科学研究部谢冰部长及马鞍山市委书记袁方共同为北大-东科联合研发中心揭牌。

 

图左为袁方书记，右为谢冰部长

 

    北大-东科第三代半导体联合研发中心，（以下简称“研发中心”）将瞄准国家和产业发展全局的创新需求，以第三代半导体氮化镓关键核心技术和重大应用研发为核心使命，重点突破材料、器件、工艺技术瓶颈，增强东科半导体在第三代半导体技术上的创新能力和市场主导力。

 

   打造高层次人才研发队伍
 

    北京大学集成电路学科作为我国第一个半导体专业，在学科建设、师资队伍等综合实力均处于国内一流领先水平。 而东科半导体作为国内最先研发布局氮化镓芯片研究的企业，国内首创合封氮化镓电源管理芯片，其产品性能指标等同或部分超出国外同类产品，并以高性能、高可靠性和低功耗等特性被市场广泛认可，实现国产替代。

 

 

    东科半导体在继青岛、无锡、深圳、马鞍山研发中心后新成立的北京研发中心，将借助北京大学及其他首都高校的研发技术及人才优势，以高标准打造出一支学历层次高、专业覆盖面广、技术力量雄厚、产学研联系紧密的研发队伍。

 

    随着氮化镓技术的不断突破与完善，下游新的应用市场规模将不断爆发，同时氮化镓作为第三代半导体，其优异特性将成为提升下游产品性能、降本增效、可持续绿色发展的关键技术之一。

 

    未来，东科半导体的氮化镓芯片将在继续深耕快充等消费电子细分领域市场的同时，进一步拓展进入通信、工业电源、光伏、新能源等众多产业领域，为推进芯片国产化进程不断前行。