5-100v电流倒灌和高边开关的解决方案介绍

MX16171D100是无锡明芯微的一款耐压100V的理想二极管，自适应驱动外部的NMOSFET，使得回路的压降低于20mV，并且具有低于1us的反向快速关断功能

MX5069是无锡明芯微的一款耐压100V的高边驱动器，产品集成了输入过压、欠压、过流等保护功能；另外此款产品还具有软起动功能尤其适合较大的容性负载以及电池欠压充电的状态；内置的PGOOD可以为SOC提供状态指示

在充电电流比较大的应用中，用户往往使用多颗PMOSFET并联使用作为高边开关，成本较高，且体积较大。在此电路中MX5069配合NMOSFET不仅可以降低成本、缩小体积，而且可以实现多种保护功能。

而在防反电路中用户往往使用肖特基并联，不仅体积大、压降大，而且由于肖特基压降的负温度特性导致并联失衡，容易炸管。推荐用户使用MX16171D100配合MOSFET可以完美解决上述肖特基带来的问题。

MX5069除了应用于充电回路以外，在BMS的放电回路同样适用，如果用户为了实现负端地的连续性，往往使用高边放电NMOSFET，如下图所示

当用户系统电压低于40V且充电电流小于5A时，可以选用无锡明芯微的单芯片集成方案MX26631DL，内部集成30mΩ的高边NMOSFET用于开关，仅仅增加外部NMOSFET就可以实现防反的功能。MX26631同时集成了过压、欠压、过流及软起动的功能，为用户节约大量的开发周期及冗余电路。另外MX26631DL还可以为SOC提供当前的工作状态以及报告当前的通路电流，实现系统工作状态的全面监控。

如果用户目前开发的AFE充放电管理的驱动都可以实现，此时用户只需要增加防反的理想二极管，可以选用无锡明芯微电子的MX5050T、MX16171D100或者MX5052S以及MX74610T等产品。

审核编辑：汤梓红