为什么说大功率器件氮化镓遥遥领先

氮化镓和碳化硅作为第三代半导体材料，整体发展较晚，渗透率较低。随着半导体化合物的稳定发展，第三代半导体具有高穿透电场、高导热率、高电子迁移率、高操作温度等特点。与第一代硅基半导体和第二代砷化邈相比。该设备具有更大的功率和更好的频率特性，用于代表物质制造。 氮化镓的能量间隙很宽，是3.4电子伏特，可用于大功率、高速光电元件，如紫光激光二极管，非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）紫光激光(405nm)在条件下产生。

Keep Tops氮化镓的特点：

1、氮化镓芯片KT65C1R200D拥有强大的击穿电压：材料本身具有很高的抗压能力，目前相对完善的Si基GaN设备的耐压性一般在650V-1200V，长时间应用于高功率领域。

2、GaN最好的优点是开关频率高。 GaN可以解决更高频率和更高功率的问题。与硅设备相比，它可以在尺寸和能耗减半的情况下运输相同的功率，从而提高功率，有利于设计师满足更高的功率要求，而不增加设计空间。

3、更高的频率交换意味着GaN可以一次转换更广泛的功率，减少复杂设计中的功率转换。因为每一次功率转换都会形成新的能耗，这对于许多高压应用来说是一个明显的优势。基于Gan的新电源和转换系统功率损失较低，产生的热量较少。

由于高温会增加使用成本，影响数据信号，造成机械故障，这些特性尤为重要。 氮化镓和碳化硅作为第三代半导体材料，整体发展较晚，渗透率较低。数据显示，目前氮化镓半导体器件的渗透率仅为0.2%左右，可大规模发展。由于单晶炉产量有限，氮化镓的成本远高于硅基和碳化硅。

然而，与光电器件相比，基于硅和碳化硅的氮化镓射频和功率器件的成本较低，这是目前渗透率提高的主流方向。 Gan的演变还没有完成。未来，Gan将继续扩展到客户电子设备等领域，打造更薄的平板显示器，减少能源浪费。可以说，如果你只需要提高3%或4%的能效，你可以通过许多其他方式来完成。但是，如果你想让功率翻倍，KeepTops氮化镓芯片KT65C1R200D是你的首选。 

审核编辑 黄宇