中芯国际“鳍式场效应晶体管的形成方法”专利已获授权

　　中芯国际近日新增多条专利信息，其中一条名称为“鳍式场效应晶体管的形成方法”，公开号为CN111477548B，法律状态显示该专利已获授权。

 

　　根据专利，本发明提供半导体基板，半导体基板上形成鳍部分，鳍部分形成一层或多层的牺牲层，鳍末端形成类似网格结构。形成覆盖鳍部侧面的第一侧壁和覆盖傀儡栅栏结构侧面的第二侧壁。对假栅栏结构两侧的鳍部分进行蚀刻，形成露出牺牲层和第一侧壁的圆/漏槽。蚀刻部分暴露在牺牲层中，在内部形成凹槽。还有内部凹主场和源/泄漏主场方面的墙上形成隔离层，再酱/泄漏主场方面从墙上分离，消除隔离层内部已经形成了保存在主场，在多次反复，再隔离层形成过程的程序，以及消除隔离层内部凹进形成隔离层直到保留。多次工艺形成了内部隔离结构，有效地避免了源/漏槽的密封，容易形成源/漏，提高了晶体管的性能。

　　中芯国际表示，随着半导体元件的大小持续减少，半导体元件正在从现有的cmos元件向finfet效果晶体管（finfet）领域发展。随着物理大小越来越小，finfet就不能再使用了。gaa （gate-all-around）纳米钢丝晶体管目前正受到研究者的关注。这种环臼结构可以进一步增加通道载流子的移动速度，同时也可以进一步减少结构的体积。在形成环状结构时，纳米线先用牺牲层代替，最后去除牺牲层，再形成金属环状结构。在形成圆/漏槽后，为了形成内部槽，将部分牺牲层蚀刻，在内部凹槽中形成内部隔离结构。目前，一旦形成内部隔离结构，源/漏水槽就容易堵塞，影响最终晶体管的性能。迫切需要形成不阻挡源头/漏水槽的鳍式场效应晶体管，并为此提出了专利。