Nexperia双通道500 mA RET可实现高功率负载开关

采用超紧凑型DFN2020(D)-6封装，并集成BJT和电阻，加倍节省空间

基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布新推出全新的500 mA 双通道内置电阻晶体管（RET）系列产品，均采用超紧凑型 DFN 2020（D）-6封装。

新系列器件适用于可穿戴设备和智能手机中的负载开关，也可用于功率要求更高的数字电路。

例如空间受限的计算、通信、工业和汽车应用。

值得注意的是，DFN 封装的RET采用双重空间节省方案，可加倍提高空间利用率。

首先，通过将双极性晶体管（BJT）和电阻巧妙地集成到单一封装中，可节省大量电路板空间。

此外，无引脚 DFN 封装本身的空间效益较高。这种集成和封装有效融合的战略充分凸显了 Nexperia 力求满足当代电子设备紧凑空间要求的不懈努力。

为了减少元件数量，简化电路板设计，12款新型 RET 将双通道 BJT 与偏置电阻组合在一起，集成在同一封装中。

同时还在基极-发射极路径上并联第二个集成电阻，以创建用于设置基极电压的分压器。

进而可实现更精细的微调和更出色的关断特性。

由于这些内部电阻的容差高于外部电阻，因此 RET 适合晶体管在打开或关断状态下工作的开关应用，并有助于克服标准 BJT 的温度依赖性。

此外，还能降低与贴片以及手动处理相关的成本。

此系列 RET 器件提供双 NPN/NPN 、 NPN/PNP 和 PNP/PNP 选项。

与同类竞品器件不同，Nexperia RET 的微型 DFN 2020（D）-6封装尺寸仅为2 mm x 2 mm x 0.65 mm，能够完全提供其规定的500 mA 输出电流。

该封装专门用于在高功率应用中实现出色的热性能，可在高达50 V 的集电极-发射极电压（VCEO，基极开路）下提供高达1 W 的总输出功率。

Nexperia RET 器件提供标准版和车规级（符合 AEC - Q101标准）版本。

该产品组合包含400多种产品，包括单通道和双通道 RET 以及广泛的电阻组合。

Nexperia RET 系列产品提供 DFN 和有引脚 SMD 封装，能够满足众多应用的不同需求。

审核编辑：刘清