慧能泰半导体HUSB251通过UFCS充电功能认证

描述

9月26日,慧能泰半导体旗下的供电协议芯片 HUSB251 通过UFCS功能认证,获得“融合快速充电功能认证证书”。

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HUSB251产品概要  

HUSB251是一款PD DRP双向快充协议芯片,符合USB PD3.1协议规范,最大输出输入电压28V;通过固件配置可实现PPS、28V EPR FPDO和EPR AVS,及自定义PDO。

当工作在Source模式下时,DPDM PHY支持可编程的专有协议:BC1.2和5V2.4A、QC2.0/3.0+、AFC、FCP、SCP,以及国内首个融合快充协议UFCS。

当工作在Sink模式下时,DPDM PHY支持可编程的专有协议:BC1.2、QC2.0/3.0+、UFCS。HUSB251具有32K EPPROM, 一组master/slave和UART, 独立DPDM PHY, PD PHY, 电压电流环路控制及通用的GPIO和ADC。可适用于电动工具、便携式储能、充电器、笔记本、平板等应用。

慧能泰HUSB251 100W PD3.1 双向快充应用参考设计方案支持最大双向100W PD快充;通过控制PMIC的FB实现电压调整,同时也可以通过I2C控制PMIC实现充放电控制。

HUSB251参考设计方案支持4 串电芯配置,采用全栈 PD DRP 协议,支持 5/9/15/20V @5A,最高可定制为140W以及28V输出的 PD3.1 DRP 应用,方案具备灵活的 VDM 报文扩展能力和完备的系统充放电功率策略。

参考设计方案采用 RISC-V 内核的HUSB251完成协议识别和充放电管理,控制双向 BUCK-BOOST 电源管理芯片,完成功率转换。

HUSB251 内置高性能32位 RISC-V 微处理器内核和32K EPPROM、8K RAM充足的空间供用户进行自定义开发,同时支持在线升级。

PHY

HUSB251使用了软硬结合的灵活可编程架构,内部采用 TCPM/TCPC 分层架构,用于Type-C 接口检测与数模电路控制。集成的PD PHY 层可实现BMC和CRC自动计算,同时可实现协议的冲突机制。 

HUSB251芯片致力于打造开放平台和差异化应用的设计理念,设计人员可以更合理有效地利用芯片上 MCU 的资源,简化差异化应用软件的设计,缩短系统开发时间,同时更好地保证系统的实时性和可靠性,完美实现 PD+MCU 的应用开发。 

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性能实测

看完了上面的方案介绍,下面再来看看慧能泰HUSB251 参考设计方案的实际性能表现。

将HUSB251 DRP 100W EVB的BAT+/BAT-接电池包,使用 Power-Z KM003C 读取 PDO 报文,显示其支持 5V3A、9V3A、15V3A、20V5A 五组 SPR 固定电压档位,3.3~21V5A 一组 PPS档位,28V5A 一组 EPR 固定电压档位,以及 14~28V 一组 AVS 档位。

PHY

将HUSB251PD3.1 DRP 100W EVB 同过POWERZ诱骗20V,进行放电测试: 

PHY

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产品特性

双向 100W DRP, 自动识别 E-mark 线材;

自动检查插入适配器,智能选择充电电压和电

流;

支持 4 节串联电池充电,电池电压和串联数量

可定制;

 普通线材输出 PDO:

5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3A,3.3V~11V

/3A, 3.3V~21V/3A

E-Mark 线输出 PDO:

5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/5A,20V/5A,3.3V~11V

/5A, 3.3V~21V/5A

支持 TYPEC 端口升级;

支持 SCP, OVP, OCP,UVP 等各种保护;

支持双环路控制,即电压环路和电流环路。

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慧能泰的UFCS产品布局

作为UFCS融合快充协议的重要参与制定者,慧能泰除了此次获得认证的HUSB251之外,另还有多款支持UFCS的产品正在开发中。在推进充电接口技术融合的道路中,慧能泰凭借自身多年的技术积累,始终秉承“芯智慧 芯能源,共建绿色未来”的企业使命,不断开拓创新,提高资源利用率,用“芯”推动融合快充应用落地,积极构建终端快充产业新生态!






审核编辑:刘清

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