三星将削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资

　　三星电子正在减少对平泽、平泽晶圆p3工厂的投资，因此预计增设规模将仅为当初计划的三分之一。计划升级为先进加工节点的设备更换伴随着自然减产，会对市场产生重大影响。

　　平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道，三星原计划将p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片，但目前已将生产能力减少到5万个dram和1万个nand芯片。

　　虽然2023年下半年价格出现反弹，但对市场复苏的预测仍然保守。p3增产投资减少可能意味着今后一年内供给不会大幅增加。特别是nand闪存的需求不会增加。与dram相比，nand投资的减少幅度更大。这意味着nand型市场的恢复将会趋缓。

　　三星电子的设备投资预计到2023年将达到36万亿至37万亿韩元（约270亿美元）。但是，由于最近的投资减少，预计今年年末总支出将减少到29万亿韩元。

　　另外，韩国投资证券调查中心负责人预测说，随着dram制造进入第4代10纳米节点（1a）和第5代10纳米节点（1b）加工技术，工程方式将大幅改变。设备升级期间，生产线暂时中断并安装新设备。这就是企业为了避免对产量影响过大而在淡季采取这种行动的原因。因此，三星存储器生产线的启动率将从q4下降，预计在q4中dram和nand的供应将大幅减少。

　　据悉，实际上，dram价格在过去6个月里已经触底，一直保持稳定趋势，存储器企业已经向客户公司提出了上调nand合同价格的要求。业界预测说，三星、sk海力士、美光将恢复经济周期，收益性也将迅速恢复。