共创宽禁带半导体未来，看碳化硅技术如何推动下一代直流快充桩发展

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宽禁带半导体是指具有宽禁带能隙的半导体材料，例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，由于其能够承受高电压、高温和高功率密度等特性，因此具有广泛应用前景。根据市场调研机构的数据，宽禁带半导体市场的全球规模预计将从 2020 年的 27.6 亿美元增长到 2027 年的 86. 5亿美元，年复合增长率达到 17.5%。其中，碳化硅（SiC）半导体市场规模较大，占据了市场份额的大部分。预计未来几年，随着新能源汽车的普及和5G基础设施建设的加速推进，宽禁带半导体市场将持续保持高速增长。 

由深圳市电子商会和 Bodo’s 功率系统杂志主办的Bodo’s 宽禁带半导体论坛将于今年10月12日在深圳国际会展中心(宝安新馆) 3号馆 3H88 会议区线下举办，分享宽禁带半导体领域的技术发展和最新成就。安森美(onsemi)电源方案部产品经理Jerry也将在现场为大家概述安森美的EV充电设计生态系统和应用于充电桩的智能电源产品和方案，包括碳化硅(SiC)、电源模块和门极驱动器等，以及参考设计和支持工具，助您简化设计，最大化能效以及减小尺寸。

演讲主题

碳化硅技术实现下一代直流快速充电桩的发展

时间地点

2023年10月12日 15:00 - 15:30

深圳国际会展中心(宝安新馆) 3号馆 3H88 会议区

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欢迎注册参加。所有提前注册的与会者将享受如下礼遇：

• 免费参会

• 矿泉水以及会议资料袋

• 参会当天午餐券

• 现场抽奖

本次论坛同时提供在线直播，如无法线下参与，论坛主办方也将于10月10日通过邮件向提前注册的参会人发送在线直播地址。

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原文标题：共创宽禁带半导体未来，看碳化硅技术如何推动下一代直流快充桩发展

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