随着人工智能的热潮席卷全球,作为人工智能的核心引擎的AI芯片也变得炙手可热。而采用非冯·诺依曼创新计算架构的存算一体芯片,从设计到验证、生产制造,也都吸引了行业内外的关注。从新架构的落地和应用的角度来看,存算一体与传统AI芯片的异同点在哪里?这些异同点对最终芯片产品的影响是什么?
本期我们邀请了后摩智能的研发和验证工程师,为我们解答后摩的存算一体芯片从设计到制造全流程:作为AI芯片中的一种创新架构,后摩智能的存算一体芯片采用的是底层无侵入式创新,在芯片的验证、制造封装环节上与传统AI芯片没有本质性区别,只需要单独针对存算IP进行开发、交付与验证。
Q1► 存算一体芯片的设计过程是怎样的?这些过程与传统AI芯片的差异是什么?
A:存算一体芯片的设计过程大致如下:
(1)根据产品定义确定存算一体芯片架构;
(2)存内计算IP的设计;
(3)存算一体芯片架构的建模设计和制定;通常(2)和(3)并行。
(4)存算一体芯片的前端验证、IP集成和物理实现、后仿验证等。
跟传统AI芯片差异主要在于,需要对于存内计算IP进行单独的开发和交付,并需要结合存内计算IP的特性对整体芯片架构进行大量的迭代等。
Q2►存算一体芯片的验证流程包括哪些步骤?
A:一般芯片验证从层级上可以大概划分为IP level,Subsystem level,和SoC level的验证;根据项目的阶段可以分为前端验证和后端验证;验证手段包括直接验证,随机验证,通过ref model检查或者断言检查等;
对于存算一体芯片,验证流程和方法学和一般AI芯片相同,只是在某些阶段会额外增强,确保芯片功能正确,性能满足要求。
存算一体芯片核心计算单元是自研电路实现,如果将该部分电路和其他数字电路一起仿真,需要采用数模混合仿真,只靠这点的话,仿真速度无法接受。设计团队开发专门的model替代存算电路用于Subsystem及SoC Level验证,验证团队会搭建专门的验证平台及Ref Model,验证该Model的功能正确性。
对于存算电路,会有一个wrapper,验证会基于该wrapper搭建存算一体芯片特有的数模混仿TB,在该TB上验证数字逻辑和存算电路的接口时序及存算电路的功能正确性。对于接口时序会开发大量的断言检查时序,对于功能则使用开发好的ref model检查。
在后仿阶段,因为仿真效率的原因,依然使用专门的model替代存算电路,但是会从存算电路中抽取实际的timing数据,反标到model接口上,完成数字电路和存算电路的接口timing检查。
通过以上方式,在确保功能正确,性能满足要求的同时,验证效率也不会损失,满足项目进度要求。
Q3► 存算一体芯片的制造过程是怎样的?与传统AI芯片是否一致?
A:存算一体的AI芯片创新主要是底层计算单元架构和设计上的创新,通过存储单元增加运算功能,消除内存墙以达到提高系统能效和计算速度的目的。
在晶圆制造方面,相对于传统AI芯片(大部分是GPGPU)没有本质差别。存算的一个优势是不需要昂贵的尖端晶圆工艺(5/3 nm),可以使用更为成熟可靠的晶圆工艺。
后摩智能在研发的技术和产品,依据存算一体的存储单元类型,可以分为SRAM存算,RRAM和MRAM存算等,在晶圆制造这一块是完全兼容目前的主流逻辑工艺。
业界还有DRAM和Flash单元为基础的存算,这会带来更复杂的生产制造和良率提升流程。
以目前发布的SRAM存算SoC后摩鸿途H30为例,采用12nm成熟的逻辑工艺和对应的版图设计规则 ,没有增加特殊的晶圆生产工艺和设备。
电路设计使用成熟的标准单元工艺库文件和晶体管器件,及相应的物理设计和签核规则。由于没有引入额外的光罩,在生产周期,光罩和晶圆成本上和传统芯片一致,后续在产能扩充和良率提升上也更为友好。
Q4► 存算一体芯片的封装和测试过程如何进行?
A:存算一体芯片的封装工艺与传统的AI 芯片相比没有本质区别。
存算的一个优势是芯片更小,可以使用业界更为成熟的封装产线和封装形式,外形尺寸、基板和BOM也是成熟且可靠。
目前发布的后摩鸿途H30采用FCBGA 40*40mm封装,球间距为0.8mm。相对于传统的GPU类大芯片的复杂基板结构,封装基板显著减少了基板层数,成本,良率和交期更优。同时采用了优化后的高强度的基板核芯材料和ring环,对大封装芯片常见的翘曲有很好的改善,对SMT良率和PCB失效也非常有益。
存算一体芯片的ATE 自动化测试和传统的AI 芯片相比,也没有区别,采用开发的成熟的93000 (俗称93K) 测试机平台进行三温测试。
在后摩鸿途H30上,DFT部门开发了业界领先的针对存算模块的测试向量Cbist(BIST of Computing in memory),能对存算单元进行内建自测试,减少了对测试机配置和资源的要求,节约了测试时间,可以对芯片的算力进行出厂测试和分档。其余的chain,stuck at,mbist等DFT和IP 测试均和传统芯片类似。由于存算一体芯片SRAM类型的器件占比相对传统芯片较多,也优化了芯片SRAM的自修复功能设计和测试,进一步提升良率。
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