三星西安工厂将引进236层NAND芯片生产设备

　　三星电子决定将其西安NAND闪存工厂过渡到200层NAND工艺。三星生产236层（第8代）NAND产品的举措被视为克服全球NAND需求低迷而导致业绩下降的战略步骤。

　　业内消息人士透露，三星高管已批准其西安工厂的NAND工艺升级，并已开始广泛的扩张工作。三星已开始为这一转型采购最新的半导体设备，新设备预计将在2023年底交付。

　　三星西安工厂是该公司唯一的海外存储半导体生产基地。2014年竣工的西安工厂到2020年扩建了第二个工厂，成长为每月能生产20万个12英寸晶片的世界最大的nand制造基地。占三星nand总生产量的40%以上。在这样的背景下，三星计划到2024年在西安工厂接连引进能够生产nand 236段（第8代）的设备。

　　三星决定升级西安工厂的原因大致有两个。第一，在nand闪存市场尚未出现恢复迹象的情况下，在nand闪存市场保持世界领先地位。受从去年年底开始的it景气低迷和半导体景气低迷的影响，三星nand的销量增加，从而使亏损扩大。

　　在政策性减产后，业绩改善缓慢，因此打出了工程升级牌。随着批量生产最新第八代产品，可以确保价格竞争力和需求，第八代产品比第六代经过更多的工程，可以自然地减少30%左右的晶片投入。这意味着有平衡市场供求的潜力。

　　实际上，三星在今年4月正式宣布减产。第六代（128段）v - nand的主力生产基地西安工厂的开工率也大幅下降。现有产品（128层）的需求受到限制，也不能确保价格竞争力，因此全体工厂的开工率下降到了20%左右。

　　三星和sk海力士暂时放宽半导体限制规定，以便在中国运营工厂，这也是程序变更的另一个背景。美国政府去年10月要求允许向中国本土半导体生产基地销售128段以上14纳米以下的nand闪存和18纳米以下d内存使用的本国设备。随着美国政府发表对三星电子和sk海力士等半导体企业免除1年出口管制的措施，国内半导体企业在中国工厂的运转可能会受到制约的忧虑和不安感正在增大。

　　但是，美国商务部产业安全局（bis） 10月13日正式公布，将无限期免除美国对三星电子和sk海力士中国工厂的对华半导体设备限制规定，从而允许三星和sk海力士所需的半导体制造设备入境。