中芯国际“NAND闪存器件及其形成方法”专利获授权

　　中芯国际近日新增多条专利信息，其中一条名称为“NAND闪存器件及其形成方法”，公开号为CN113078099A，法律状态显示该专利已获授权。

　　专利摘要显示，一种NAND闪存器件及其形成方法，方法在形成第一源漏掺杂区之后，刻蚀减薄第一初始间隙壁结构，使第一初始间隙壁结构形成第一间隙壁结构；形成第一间隙壁结构之后，在第一槽中形成底部介质层；形成底部介质层之后，去除第一间隙壁结构，以在底部介层和第一栅极结构之间、以及底部介质层和第二栅极结构之间形成第一开口；在第一开口的内壁和第一开口上、以及底部介质层上形成顶部介质层，第一槽中底部介质层分别和第一栅极结构和第二栅极结构之间具有第一空隙，第一空隙被顶部介质层的材料包裹；形成贯穿顶部介质层和底部介质层的第一导电连接结构，第一导电连接结构与第一源漏掺杂区电学连接。上述的方案，可以提高NAND闪存器件的成品率。

　　中芯国际方面表示：“nand闪存凭借较高的单元密度和存储器密度、快速使用和删除速度等优点，已成为广泛使用在闪存上的结构。”目前主要用于数码相机等的闪存卡和mp3播放器。其中，现有的nand闪存部件是将空空间作为空气侧壁使用，与侧壁材料相比，空气的每个常数（每个常数）较小，因此设置空气侧壁可以减少nand闪存部件相邻线之间的电容器。通过这种方式，可以改善nand闪存配件在程序设计过程中出现混乱问题和nand闪存配件反复读写的能力。但据悉，三星电子认为，nand闪存元件的性能仍应得到提高，因此提交了该专利。