艾为电子推出超低导通电阻的双通道单刀双掷模拟开关-AW35321QNR

描述

AW35321QNR是艾为电子推出的双通道单刀双掷模拟开关。0.5Ω(典型值)超低导通电阻以及只需要单电源供电即可支持负摆幅信号的特性使其非常适合应用于音频领域。  

应用场景

手机

笔记本

PAD

工业对讲机

音响设备

AW35321QNR主要特性

输入电压范围:2.3V~5.5V

导通电阻:典型值0.5Ω

开关速度:QFN封装=100ns、QFN封装=100ns

单电源供电并且支持负摆幅

-3dB带宽:80MHz

关断隔离度:-79dB(f=100KHz)

串扰抑制:-80dB(f=100KHz)

先断后合特性

工作温度范围:-40℃~105℃

封装:QFN 1.8mm * 1.4mm * 0.55mm – 10L

产品特点

    ☆ 三低:低导通电阻、低导通电阻平坦度、低导通电阻失配

AW35321QNR导通电阻仅为0.5Ω(典型值),低导通电阻带来的优势是其能够承载更高的电流,信号的衰减更小。这不仅可以帮助提升后级扬声器的输出功率,同时也极大地提高了声音的动态范围。   

导通电阻平坦度是指在给定的输入电压范围内,导通电阻的最大变化量。导通电阻随输入电压变化,会在输出端引入非线性误差,导通电阻平坦度越小,输出的非线性误差越小。AW35321QNR在5V供电下,导通电阻平坦度仅为0.1Ω,这种极低的平坦度使得输出的音频与输入的误差大大减小,最大程度保留原来的音质。  

导通电阻失配是指不同通道间导通电阻的一致性,导通电阻失配越小,对于相同的输入信号,每个通道输出信号的误差越小。AW35321QNR在5V供电下,导通电阻失配仅为0.1Ω,这意味着当音源采用双声道输出时,左右扬声器的音频响度几乎没有差别。

☆ 三高:高关断隔离度、高串扰抑制、高保真

QFN封装

关断隔离度示意图   当信号施加在关断通道的输入端时,在输出端出现的信号相比输入信号的衰减度即为关断隔离度。开关关断时漏极和源极存在的寄生电容,当输入端存在交流信号时,信号会通过寄生电容耦合到输出端,输入信号频率越高,越容易耦合至输出端。

对于音频来说,必然不希望在开关关断时在输出端出现不必要的声音。AW35321QNR在100KHz时的关断隔离度达到-79dB,而音频信号的范围是20Hz~20KHz,这意味着AW35321QNR在隔离音频信号时,输出端几乎听不到任何声音。  

QFN封装

串扰示意图  

当信号施加在导通通道的输入端时,在关断通道的输入端出现的信号即为串扰。串扰是由通道间或PCB布局引入的寄生电容引起的,信号频率越高,串扰越明显。AW35321QNR在100KHz时的串扰抑制达到-80dB,当AW35321QNR用作音源选择时,高串扰抑制使得音频不会在通道间相互干扰,保证所听即所选。

输入信号在经过模拟开关后,输出信号相比输入信号会多出一些谐波成分,这是由于系统的非线性造成的。所有二次、三次谐波的总和称为总谐波失真(THD)。谐波会影响音色,THD数值越低,音色还原度越好。THD在1%以下,人耳一般就分辨不出来。按常见的Type C耳机32Ω的阻抗,AW35321QNR THD仅为0.21%,远远低于1%,音色还原能力十分出众。

☆ 支持负摆幅信号

音频信号是正弦交流信号,普通模拟开关的常用做法是将音频偏压至VCC/2,通过模拟开关后,再由交流耦合电容将偏压变为0V,如下如所示。  

QFN封装

  普通模拟开关音频传输过程   这一过程不仅增加了物料成本,给系统设计提高了复杂度,还带来了一些不必要的麻烦。在交流耦合系统中,从一个音源切换到另一个音源时,电容充电瞬间,扬声器上会出现电流尖峰,从而出现“POP”噪声。

而负摆幅模拟开关因为不需要交流耦合电容,因此可以显著减少此类“POP”噪声现象。AW35321QNR采用单电源供电,支持负摆幅,配合负摆幅音频功率放大器可以实现多个扬声器共享音源或将多个音源路由至扬声器。不仅如此,采用AW35321QNR的方案设计将会更加简洁,物料成本更低。   

QFN封装

AW35321QNR 音源选择应用  

封装

AW35321QNR采用绿色环保的小体积QFN 1.8mm * 1.4mm * 0.55mm – 10L封装。该封装占板面积小,非常适用于手机、PAD、超薄本等内部空间紧凑的电子设备。  

艾为电子模拟开关产品列表

艾为电子致力于为客户提供更好的解决方案,我们提供以下模拟开关产品可供选择。其中AW35301STR是一个单路单刀双掷模拟开关,导通电阻3Ω,带宽400MHz,采用SOT363-6L封装,可用于音频路由、选波、斩波、调制与解调等应用。  

QFN封装

 





审核编辑:刘清

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