如何提高现有运放的噪声性能呢?

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我们在使用精密运放放大微弱信号时,往往需要稳定的高增益和极低的等效输入噪声,这时选择的运放未必能满足要求,那这么办?一种是重新选择,这往往很难,因为已经选过了;还有一种方法就是通过外围电路改造所选的运放,提升运放的等效噪声性能,本推文就第二种方法做一些探讨:

JFET

根据此公式,可以在现有运放前加一级单管电路构成低噪声低偏置的JFET mos对管电路,就有可能实现最终噪声的降低,但是问题是离散的单管电路由于温漂、参数离散化,实际上很难应用,在实际电路中不抑制温漂和管子参数的离散化,基本是无法正常使用的,抑制的方法就是负反馈,如下图所示:

JFET

通过零漂的斩波运放LTC1150及附属元件构成一个低频的负反馈网络,来调整Q3/Q4的工作偏置电流,最终抑制掉因为温漂和JFET的参数离散化导致的LT1097的输入直流电平不对称性。

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