一 共射极放大电路的波形
放大电路的作用是将小信号放大为大信号。下图是用三极管组成的放大电路。基极是信号输入,集电极是信号输出,发射极是公共端(地)。此电路称为共发射极放大电路。
输入信号Vin=2Vpp,输出信号Vo=6Vpp。电路的电压放大倍数是3倍,大约是9.5dB。看波形,输入信号和输出信号是反相的。
二 基极偏置电压
下图是Vin与Vb的波形。可以看出Vin与Vb的幅度和相位一致。只是在Vb上有2.6V的直流偏置电压。此电压称为基极偏置电压,由基极偏置电路R1和R2产生。C1的作用是 去除来自Vin的直流信号,只让Vin的交流信号通过。当交流信号通过C1后,由R1和R2组成的基极偏置电路,提供新的直流电压。C1称为耦合电路,它使Vin和Q1耦合起来。
三 基极-发射极电压
下图是Vb和Ve的波形。从交流角度看,Vb和Ve的幅度和相位一致,即Ve的交流成分与Vin的交流成分一致。即当在晶体管的基极上添加交流信号,从发射极得到的信号没有任何放大作用,放大倍数为1。
从直流的角度看,Vb和Ve之间有0.619V的差值。这就是前面提到的Vbe≈0.6V。
我们可以认为在晶体管的基极-发射极之间、基极-集电极之间都有连接二极管。在一般的放大电路设计中,使基极-发射极之间的二极管导通,使基极-集电极之间的二极管截止,基于这个原则来设置晶体管各个pin的偏置电压。晶体管无论是哪种类型或者用途(小信号、功率、低频、高频),只要它工作在放大区,肯定Vbe是一个定值,例如≈0.6V。
四 集电极输出
如下图,集电极的波形,被放大,而且相位与Vin/Vb/Ve相反。
晶体管各个pin的电流流动关系如下。因为ib很小,可以忽略不计。
ic=ib+ie≈ie
NPN晶体管和PNP晶体管的电流方向完全相反。
如下图Ve的电压是2V±1V,流过发射极的电流
Ie=[(2V±1V)/2KR]=1mA±0.5mA
因此流过集电极的电流Id=1mA±0.5mA。此电流在R3两端产生的压降是Id x R3=6V±3V。
V2是15V的直流电压,V2减去R3两端电压就是Vc电压。Vc通过C2隔直之后,就是输出电压了。
总结:
V1提供交流输入信号,R1和R2提供Vb的直流偏置电压。
二者组合成Q1的基极电压。基极电压减去基极-发射极之间的PN节压降[0.6V],得到Q1的发射极电压。
由发射极电压和R4,得到发射极电流。
因为发射极电流≈集电极电流,可以得到R3两端压降。
V2减去R3两端压降,就是Q1的集电极电压。将此电压去掉直流成分,就是放大后的输出信号。
五 电路的直流电压公式
基于以上的分析和波形,整理共射极放大电路的直流电压公式。使用大写字母表示直流参数。
首先基极的直流电压VB是R1和R2对电源电压V2进行分压之后得到电位(注:此处有个前提,认为基极的输入阻抗非常高,流入晶体管的基极电流IB很少,可以忽略)
接下来发射极的直流电压VE比基极电压VB低,差值是VBE,通常VBE=0.6V
接下来是发射极上流动的直流电流IE
接下来集电极直流电压VC是电源电压V2减去R3两端的压降
六 电路的交流电压公式
使用小写字母表示交流信号。通过之前的描述已经知道,单看交流信号,Vin(V1)=Vb=Ve。即V1的交流信号,直接传递到晶体管的发射极。因此由Vin交流信号引起的发射极ie的交流变化部分△ie为:
则交流电流△ie在R3上产生的电压为:
C2将Vc的直流电压截断,输出的只有交流信号Vo
因此这电路的交流放大倍数Av是:
通过以上公式可以看出:该电路的交流放大倍数Av与晶体管的直流放大系数hFE无关,是由R3和R4决定的。
七 关于hFE
hFE是共发射极电流放大系数(通常简称为电流放大系数)。hFE的值越大越好,因为这意味着可以用较小的电流控制较大的电流。通常小信号通用晶体管的hFE是一百到数百,功率放大晶体管的hFE是数十到一百左右。不过即使是同一型号的晶体管,hFE也有分散性。此外想以微小电流来控制较大电流时,有hFE非常大的所谓超hFE晶体管,这种类型的晶体管差不多都是NPN型的。
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