电子说
本节主要介绍:
逻辑综合概述
计算延时模型
综合目标
综合流程
综合基本命令
工艺库及其综合库
逻辑综合概述
DC工作流程主要分为四步:
synthesis = translation + Constrain + logic optimization + gate mapping
Translation :翻译功能,主要把RTL级的代码,首先通过转换器GTECH将代码转换成统一用门级描述的电路(Generic Boolean Gates)或者没有映射的ddc格式;
Constrain :加载约束,设置时钟频率,输入延迟,输出延迟,负载,工作电压等
Logic optimization :逻辑优化, 用统一的门级描述电路对面积和时序进行优化。
Gate mapping :门级映射,dc用工艺库厂商的工艺库把电路给映射成基本单元,工艺库包括不同触发器、逻辑门等标准单元,不同类型的标准单元驱动能力和延迟均不同;在约束文件的作用下,DC编译出的网表可以符合特定场景下的功能要求,最终得到一个.ddc文件;
.ddc文件包含许多丰富信息,如映射的门电路信息与网表、寄生参数、.v的网表、SDF标准延时信息、SDC约束、工作条件等信息。
吐出的网表文件,SDF延迟文件,并将其反标,可以用于做后仿。
计算延时模型
线负载延迟模型:根据连线挂载的负载数量进行计算;
拓扑结构模型:通过物理约束(phy)和物理库(lib),给dc工具提供大概布局,得出延迟,比较精确;
一般流程是,dc先综合一版,用dc吐出的第一版信息,给后端做一版初步布局,利用ICC工具吐出的物理约束(包括某些器件的大概位置),DC启动拓扑结构模式,利用布局信息再进行综合,这样计算得到的延迟信息比较准确。
综合目标
面积越小,速度越快;
通常在面积和延时之间折中,如果时序和面积不能同时实现,时序拥有更高的优先级。
综合流程
综合时,首先DC的HDL compiler把HDL代码转化成DC自带的GTECH格式,然后DC的library compiler 根据标准设计约束(SDC)文件、IP-DW库、工艺库、图形库、(使用拓扑模式时,加入的ICC生成DEF模式,加载物理布局信息)进行时序优化、数据通路优化、功耗优化(DC的power compiler进行)、测试的综合优化(DC的DFT compiler),最后得到优化后的网表。
综合基本命令
工艺库
工艺库目录:/opt/Foundary_Library/SMIC_180/smic_180/SM00LB501-FE-00000-r0p0-00rel0/aci/sc-m/synopsys
其中:以ss_1v62_125c.lib,ss_1v62_125c.db为例:
.db文件是给DC读取,对应的.lib文件是供人参考;
Library Compiler工具可将.lib文件转换为.db文件;
ff最快工艺工艺角,ss最差工艺角,tt典型工艺角(fast、、slow、typical工作模式)
1v62电压1.62V,125c温度125摄氏度。
电压越低速度越慢,温度越高速度越慢。
打开ss_1v62_125c.lib文件:
版本信息和日期:
/* documentation attributes */ revision : 1.0; date : "Thu Oct 27 1608 2005"; comment : "Copyright (c) 2005 Artisan Components, Inc. All Rights Reserved.";
单位信息:时间、电流、电压、电阻、漏电功耗和负载电容单位信息
/* unit attributes */ time_unit : "1ns"; voltage_unit : "1V"; current_unit : "1mA"; pulling_resistance_unit : "1kohm"; leakage_power_unit : "1pW"; capacitive_load_unit (1.0,pf);
工作环境:温度、电压
/* operation conditions */ nom_process : 1; nom_temperature : 125; nom_voltage : 1.62; operating_conditions(ss_1v62_125c) { process : 1; temperature : 125; voltage : 1.62; tree_type : balanced_tree } default_operating_conditions : ss_1v62_125c;
缩放因子:当温度变化时,根据缩放因子做出调整
/* threshold definitions */ slew_lower_threshold_pct_fall : 30.0; slew_upper_threshold_pct_fall : 70.0; slew_lower_threshold_pct_rise : 30.0; slew_upper_threshold_pct_rise : 70.0; input_threshold_pct_fall : 50.0; input_threshold_pct_rise : 50.0; output_threshold_pct_fall : 50.0; output_threshold_pct_rise : 50.0; slew_derate_from_library : 0.5;
默认属性:工艺库的最大电容、最大扇出、输入输出电容、漏电功耗等信息
/* default attributes */ default_leakage_power_density : 0.0; default_cell_leakage_power : 0.0; default_fanout_load : 1.0; default_output_pin_cap : 0.0; default_inout_pin_cap : 0.0035; default_input_pin_cap : 0.0035; default_max_transition : 4.5;
查找表:计算延迟
/* templates */ lu_table_template(delay_template_7x1) { variable_1 : input_net_transition; index_1 ("1000, 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006"); } power_lut_template(energy_template_7x1) { variable_1 : input_transition_time; index_1 ("1000, 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006"); }
工作电压: GENERAL、CMOS、TTL
/* pad attributes */ output_voltage(GENERAL) { vol : 0.4; voh : VDD - 0.4; vomin : -0.5; vomax : VDD + 0.5; } input_voltage(CMOS) { vil : 0.3 * VDD; vih : 0.7 * VDD; vimin : -0.5; vimax : VDD + 0.5; } input_voltage(TTL) { vil : 0.8; vih : 2; vimin : -0.5; vimax : VDD + 0.5; }
线负载模型:单位电阻,单位电容,斜率,面积,扇出
/* wire-loads */ wire_load("smic18_wl20") { resistance : 8.5e-8; capacitance : 1.5e-4; area : 0.7; slope : 133.334; fanout_length (1,133.334); }
基本单元:加法器
cell (ADDFHX1M) { cell_footprint : addfh; area : 59.270400; pin(A) { direction : input; capacitance : 0.006299; } pin(B) { direction : input; capacitance : 0.012002; } pin(CI) { direction : input; capacitance : 0.004209; } pin(S) { direction : output; capacitance : 0.0 ... ... }
综合库
synthetic_library一般为synopsys的库:DesignWare library 和标准单元库;DesignWare library 为synopsys的IP库:
当使用到synopsys公司的IP核时,则需要定义此综合库;
目录:/opt/Synopsys/Synplify2015/libraries/syn:
审核编辑:汤梓红
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