美光科技DRAM和通用闪存3.1嵌入式解决方案通过高通平台认证

　　美光的低功耗内存解决方案为骁龙XR2 Gen 2平台上的元宇宙应用提供高速和高能效。

　　美光科技宣布，其低功耗双倍数据速率5X(LPDDR5X)DRAM和通用闪存(UFS)3.1嵌入式解决方案在高通技术公司最新的扩展现实(XR)平台Snapdragon XR2 Gen 2平台上通过认证。这些低功耗内存解决方案以混合现实 (MR) 和虚拟现实 (VR) 设备所需的小尺寸提供高速和低功耗。

　　美光表示，新的内存解决方案可实现跨多个应用程序和传感器的并发处理，在元宇宙中集成不断变化的存在、位置和感官感知，以获得逼真的沉浸式体验。

　　LPDDR5X DRAM可以实现高达8.533 Gbits/s的速度，并向后兼容6.4 Gbits/s的LPDDR5速度。UFS 3.1 客户端存储是首款由美光 176 层 NAND 提供支持的 UFS，具有高存储密度，占用空间受限的设备占用空间很小。

　　与Meta合作开发的Snapdragon XR2 Gen 2处理器在Meta Quest 3上进行了商业首次亮相。骁龙XR2 Gen 2平台专为更高水平的MR和VR体验而设计，采用单芯片架构，无需外部电池即可实现更薄的耳机。

　　该平台包括升级的ISP和全彩色，超快的12毫秒视频透视延迟，可在现实世界和虚拟世界之间平滑过渡。其他功能包括高通的Adreno GPU，GPU性能提高了2.5×，支持高达3k×3k显示器，8×高性能AI，支持10个并发摄像头和专用XR加速块。

　　美光LPDDR5X被誉为该公司最先进的低功耗内存，由于其1-alpha工艺节点技术和JEDEC功率进步，包括速度扩展，通过TX / RX均衡改进信号完整性以及由于新的自适应刷新管理功能而提高的可靠性，因此可提供更高的电源效率。

　　与前几代产品相比，该LPDDR5X的电源效率提高了 24%，非常适合不受束缚的 MR 和 VR 头戴式设备，从而延长了两次充电之间的电池寿命。美光表示：“在 8.533 Gbits/s 的峰值数据速率下，美光的LPDDR5X使元宇宙应用程序的数据访问速度提高了 33%，从而缩短了响应时间。

　　符合骁龙平台标准的 128 GB UFS 3.1 和 8 GB LPDDR5X设备现已上市。

        审核编辑：彭菁