根据电容章节分析,理想电容的作用相当于电压源,为了维持两端电压不变,具备吸收和输出大电流能力。
事实上,对于实际使用中的电容,受制造工艺的影响,会产生寄生电感ESL和串联等效电阻ESR,因此,实际电容的模型如下:
ESL和ESR的存在都会导致电容性能的一些改变。
ESL对电容的影响主要发生在高频阶段,电容电感阻抗计算公式分别为:
对于实际电容,当频率较低时,主要是电容起作用,阻抗主要为容抗,因此在低频阶段,随着频率的增高,电容的阻抗减小。而当频率高时,寄生电感的感抗无法忽略,寄生电感开始起主要作用,并且受此影响,电容的阻抗开始随频率增加而增加,这一点,与理想电容是不一样的,理想电容的阻抗特性是随频率的增加而不断较小,而实际电容的频率特性如下:
如上图某品牌10nF电容的实际阻抗随频率变化的特性曲线,从图中可知,当f=100M时,电容的阻抗最小,此时值为ESR值,当f<100MHz时,阻抗满足理想电容模型,而当f>100MHz时,阻抗变化与电感特性一致,100MHz的变化点即为实际电容的自谐振点,因此,实际电容的使用需根据频率要求进行选型。
对于ESR的存在,其所产生的弊端同样会使实际电容特性偏离理想电容特性,理想电容为了维持两端电压不变,会释放或吸收大电流,而ESR的存在,会导致大电流∆I产生尖峰电压:
ESR的存在所产生的电压会在电源输出滤波电路中引入额外的纹波电压,因此,电容ESR不能选择过大,而部分电源需要依靠输出电容ESR造成的∆V形成快速反馈来稳定电压,因此,ESR的选取需要依靠实际电路来。
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