华为公开半导体芯片专利：可提高三维存储器的存储密度

　　华为技术有限公司最近增加了多项专利信息，其中之一是“半导体结构及制造方法、三维存储器、电子设备”，官方号码为cn116940110a。

　　根据专利摘要，该申请涉及提高三维存储器存储密度的半导体芯片技术领域。这个半导体结构的外部层沉积层、电容器、第一次接触柱子及首家信号线组成，外围堆叠层包括层叠设置的多个膜层对，膜层对第一个防止介质层和栅极层，包括各双膜形成多个台阶。电容器包括第一电极和第二电极。第一个接触柱位于第一个目标阶的上端，一边与形成第一个目标阶的膜层的栅极层电连在一起，第一个目标阶是多个阶中的临界段。第一根信号线连接到第一根接触柱的另一端，第一根信号线被安排在栅极层传送第一电压信号，栅极层被安排成第一电极。上述半导体结构应用于三维存储器，实现数据的读写操作。

　　华为表示，随着内存单元特征大小接近下限，平面技术和制造技术具有挑战性，成本提高，从而使2d内存的内存密度接近上限。为了克服2d存储器的局限性，业界开发了三维结构的存储器，为了提高存储器密度，将膜层堆叠起来，缩小了零件的尺寸。

　　上述三维存储器还包括周围电路，周围电路和存储单位设置在三维存储器的不同区域。外部电路中金属-氧化物-金属（metal - oxide - metal，减少mom）电容器，因此，包括mom电容器的区域面积，减少储存装置的区域面积增加三维记忆装置的存储密度提高的方法在银领域正在成为亟待解决的问题。