STM32F103C8T6 ST/意法 基于Arm®的中等密度高性能系列32位MCU概述

STM32F103系列中等密度高性能系列集成了高性能Arm®Cortex-M3®32位RISC内核，工作频率为72MHz，高速嵌入式存储器（闪存高达128KB，SRAM高达20KB），以及连接到两个的广泛增强型I/O和外设APB巴士。所有器件均提供2个12位ADC、3个通用16位定时器和1个PWM定时器以及标准和高级通信接口：最多两个I2C以及SPI、三个USART、一个USB和一个CAN。

这些器件采用2.0V至3.6V电源供电。它们有–40到+85°C温度范围和–40至+105°C扩展温度范围。一个一整套省电模式允许设计低功耗应用。STM32F103系列中等密度高性能系列包括六种不同的器件封装类型：从36引脚到100引脚。根据所选择的设备，不同的集包括外围设备，下面的描述概述了整个范围该系列中建议的外设。这些特性使STM32F103系列成为中等密度高性能系列微控制器该系列适用于广泛的应用，如电机驱动、应用控制、医疗和手持设备、PC和游戏外围设备、GPS 平台、工业应用、PLC、变频器、打印机、扫描仪、报警系统、可视对讲机和暖通空调。

特点

♦ Arm®32位 Cortex®-M3 CPU内核
– 72MHz最大频率，1.25 DMIPS/兆赫（Dhrystone 2.1）0等待状态存储器时的性能访问
– 单周期乘法和硬件划分

♦ 记忆
– 64或128KB闪存
– 20KB的SRAM

♦ 时钟、复位和电源管理
– 2.0至3.6V应用电源和I/O
– POR、PDR和可编程电压探测器（PVD）
– 4至16MHz晶体振荡器
– 内部8MHz工厂调整RC
– 内部40kHz RC
– 用于CPU时钟的PLL
– 用于RTC的32kHz振荡器，带校准

♦ 低功耗
– 睡眠、停止和待机模式
– 用于RTC和备份寄存器的VBAT电源
♦ 2个12位、1μs A/D转换器（最多16个频道）
– 转换范围：0至3.6V
– 双采样和保持能力
– 温度传感器

♦ DMA
– 7 通道DMA控制器
– 支持的外设：定时器、ADC、SPI、I2C和USART

 多达80个快速I/O端口
– 26/37/51/80个I/O，全部可映射在16个外部中断向量和几乎所有5V容限

♦ 调试模式
– 串行线调试（SWD）和JTAG接口

数据表-生产数据

 

 

♦ 整个系列完全兼容

低密度和高密度器件是STM32F103x8/B器件的扩展，它们是分别在STM32F103x4/6和STM32F103xC/D/E数据手册中指定。低密度器件具有较低的闪存和 RAM 容量、更少的定时器和外设。高密度设备具有更高的闪存和 RAM 容量，并且SDIO、FSMC、I2S和DAC等其他外设，同时保持与STM32F103xx系列的其他成员。

审核编辑 黄宇