东风首批自主碳化硅功率模块下线

　　近日，首个采用纳米银烧结技术的碳化硅模块在新型半导体二期生产线上顺利下线，完成了自包装、测试及应用老化试验。

　　这是纳米碳化硅模块烧结工艺，使用铜键合技术，高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜基板，热电阻现有工程相比改善了10%以上，工作温度可达175igbt模块相比损失大幅减少40%以上，车辆行驶距离5 - 8%提高了。

　　据武汉开发区消息，东风集团以“马赫动力”新一代800v高压平台为基础的z新半导体硅电石模块工程将于2021年进行第一阶段开发，2022年12月正式确定为量产工程。智新半导体在成立4年时间里，已受理51项专利申请，其中发明专利40项，已批准专利20项，其中发明专利11项。

　　在此之前的2019年6月，东风公司与中国中车合作成立了智新半导体有限公司，开始自主开发生产车用igbt模块。2021年7月将开始批量生产第6代igbt基础生产线。半导体硅电石模块二期工程将于2022年第三季度动工，2023年5月动工。当时有消息称，该项目计划新建一条车辆段igbt模块生产线，实现年产30万辆汽车模块的生产能力。