关于MOS管、IGBT米勒平台的分析

米勒平台的形成与其材料、制造工艺息息相关，当GE之间电压大于阈值点的时候，管子的CE电压开始下降，但是下降的速度十分缓慢，而C点的电位变化，带动了GE之间电压不在上升，或者这样理解，Ige的驱动电流，基本都被用来给GC之间的节电容充电，至于为何一直充不满，个人的理解如下。

第一种理解：C点的电位变化，起始为450V，也就是第一零点水位，当C点水位电压下降，下降到需要补充水的时候，或者可以认为一边下降，一边增加抽取水（电流）的能力，也有说是此电容在变大，也可以这样理解。

第二种理解：此阶段，CE之间的电阻在变小，为何变小可以查阅模拟电路，GE电压增大的时候，PN结的夹断宽度变宽，同流能力增强，也就是所谓的电导调制效应，所以MOS、IGBT才能做到功率大，损耗小。

在米勒平台时期，电压迅速下降，电流快速上升，当C点电位下降接近０V时，GC之间电容所抽取的能量电流减弱，Vge增大至驱动电压。在米勒尾端到驱动电压幅值点，Vgc实际也在减小，只是幅度非常小，同样的Ic电流也十分微弱的增大。

驱动电压一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时Vds彻底降米勒效应的影响：MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；

当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续下来，开通结束。

由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。（Vgs上升，则导通电阻下降，从而Vds下降）