长鑫存储“延迟电路及半导体存储器”专利公布

　　长鑫存储技术有限公司申请“延迟电路及半导体存储器技术”专利的公告日为11月7日，申请公告号为cn117012238a。

　　据专利摘要本公开涉及一种延迟电路及半导体存储器，所述延迟电路包括温度控制模块补偿及延时模块、温度补偿控制模块根据接收到的控制信号初期，实时环境温度，温度系数补偿信号及温度系数，以便生成信号控制目标温度控制信号，给予补偿。延迟模块连接所述温度补偿控制模块，使用接收控制信号的所述目标根据温度补偿和初期演技经过信号生成温度补偿后目标，能够根据温度传感器信号采集的实时环境温度对信号的电路生成的目标信号的延迟延时动态补偿因温度变化而实际上生成的避免目标延迟信号延迟时间与所需目标延迟信号延迟时间差异较大的情况，提高信号传输的稳定性和准确度，提高集成电路的性能和可靠性。