电子说
“服务器和存储等高可靠性系统需要总线保护设计。传统设计使用热插拔控制器和外部分立 FET,然而越来越多的人并不选择这种解决方案,取而代之的是由 eFuse 提供的更紧凑的解决方案。AOS 将 TrenchFET 技术与领先的 IC 设计相结合,可实现紧凑、强壮的 eFuse 方案”。
——AOS 功率 IC 资深市场总监 Peter Cheng
日前,集设计研发,生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商,唯样商城代理品牌Alpha and Omega Semiconductor Limited发布AOS首款 eFuse 方案,可用于服务器应用中的电源保护。AOZ18101DI 系列是由紧凑的 3mm x 3mm DFN 封装的 5A eFuse方案,采用 AOS 先进的多芯片封装技术,结合了具有保护功能的高性能 IC 和我们最新的高安全工作区( SOA)Trench MOSFET。新器件集成了低 RDS(ON) (20mohm) 背靠背 MOSFET,可在 eFuse 关闭时将负载与输入总线隔离。
由于服务器产品的高可靠性要求,所有主路电源均由 eFuse 设备监控和保护,以保护主电源总线不会因故障条件下的异常负载而中断。eFuse 持续监控经过电源开关的电流。如果电流高于设定的限值,eFuse开关会将电流限制在可允许的最大值。如果大电流负载持续存在,将关断内部开关,保护下游器件负载免受损坏,也就是充当半导体保险丝的作用。
AOZ18101DI-01 和 AOZ18101DI-02 集成了真正的反向电流阻断 (TRCB)功能,即当输出电压高于输入电压时,进行反向电流保护。 此集成IC可替代现有的通过外部 FET 实现 TRCB 功能的eFuse多分立器件方案,实(找元器件现货上唯样商城)现更高集成度。对于如硬盘驱动器和服务器风扇等具有高电感反冲的负载,AOZ18101DI-03 和 AOZ18101DI-04 禁用了此 TRCB 功能,以避免由于反向电流而关闭输入电源总线。 所有器件都具有启动 SOA 管理和其他保护功能,允许系统突然上电或热插入 12V 背板。
技术亮点
工作范围:3.5V 至 14V
22V 最大绝对值
导通阻抗:20mΩ 背靠背 MOSFET
保护功能:可编程过流保护、真正的反向电流阻断(AOZ18101DI-01 和 AOZ18101DI-02)、欠压闭锁保护、过压保护、热关断保护、可编程软启动、启动 SOA 管理
3mm x 3mm DFN-10L封装
审核编辑 黄宇
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