长江存储在美起诉美光 指控侵犯8项3D NAND专利

　　据媒体报道，美国加州北区法院最近发布的信息显示，长江存储公司11月9日已与美光科技有限公司出资的子公司完全micron建议消费品集团有限责任公司提诉8侵害。”

　　长江存储在专利侵害诉讼场主张说：“此次诉讼是为了中断美光公司广泛而无许可地使用长江低利的专利革新。”长江存储诉讼称，美光使用长江存储的专利技术，从与长江存储的竞争中防御，确保和保护市场占有率。此次诉讼是为了解决美光将长江存储从三维nand闪存市场中淘汰，试图阻止竞争和革新的问题之一。

　　据悉，长江存储指控美光侵犯了美国专利号为“10，950，623”“11，501，822”“10，658，378”“10，937，806”“10，861，872”“11，468，957”“11，600，342”和“10，868，031”的专利。美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3D NAND产品。

　　长江存储在诉状中主张：“长江存储不再是新进（upstart），将成为全球3d nand市场的重要参与者。”据长江存储公司称，去年11月分析、追踪闪存市场的techchincyts公司得出结论称，长江存储公司作为3d nand闪存领域的领先者，超过了美光公司。

　　据资料显示，长江存储于2016年7月总部设在武汉，是一家集3d nand闪存设计制造一体化的idm集成电路企业，同时提供完善的内存解决方案。长江存储将于2018年批量生产32段3d nand闪存第一代，2019年批量生产64段256gb tlc 3d nand闪存，到2020年将超过96段，开发2种128段flash产品。长江存储此前还在推进扩大生产，但从去年开始就没能确保美国、日本、荷兰的尖端设备，因此在美国的压力下，在扩大生产方面受到制约。长江存储器公司此次以美国巨大的存储器半导体企业美光公司为对象，通过专利诉讼表示要维护自己的权利。

　　2022年10月，美国商务部产业安全局发布了出口控制新规定，限制对中国的半导体制造设备等出口，并对已经批量生产长江存储nand闪存芯片的最新工程进行了分层。同年12月美国又将长江存储纳入出口管制“实体清单”。

　　NAND Flash和DRAM是目前最主要的两种存储介质，NAND Flash可制造SSD（固态硬盘）等存储器，用于手机、服务器、PC等产品。集邦咨询数据显示，今年第二季度，全球NAND Flash品牌厂商中，三星、铠侠、SK Group、西部数据、美光的市占率分别为31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，其他厂商占比仅3.8%。