长江存储,中国最大的闪存芯片制造商,已向美国存储芯片巨头美光提起了专利侵权诉讼。根据美国加州北区地方法院的文件,该法院已于11月9日受理了长江存储对美光及其子公司的专利侵权案。
起诉书中指出,长江存储称美光在未经授权的情况下使用了长江存储的专利技术,并以此来保护自己的市场份额并进行市场竞争。长江存储还指责美光未为使用这些专利支付合理费用,侵犯了长江存储的利益,并阻碍了长江存储的创新动力。此外,长江存储还指控美光在自己的专利文件中引用了长江存储的相关专利,这证明美光认识到长江存储的专利组合的重要性,但美光并未采取任何实际行动来获取长江存储的专利授权。
此次诉讼旨在解决以下一个方面的问题:美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND闪存市场来阻止竞争和创新。
根据报道,长江存储指控美光侵犯了多项美国专利,专利号分别为“10,950,623”、“11,501,822”、“10,658,378”、“10,937,806”、“10,861,872”、“11,468,957”、“11,600,342”和“10,868,031”。
被指控侵权的美光产品包括96层、128层、176层和232层的3D NAND产品。
据悉,去年TechInsights公司对闪存市场进行的分析发现,长江存储已超过美光成为3D NAND闪存领域的领导者。
此次长江存储对美光提起的专利侵权诉讼具有一定的象征意义。在起诉书中,长江存储声称自己目前是全球3D NAND技术的领导者,并得到了行业和第三方机构的广泛认可。长江存储的技术创新改善了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和产量,推动了多种电子设备的创新。
编辑:黄飞
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