电路中的自举电容分析

H桥驱动电路中的自举电容分析

我想利用 H 桥驱动电路中的 MOS 和 MOSDriver 电路来分析一下自举电容的工作原理和过程，因为使用 H 桥电路推动感性负载时，和 DCDC芯片推动储能电感降压时的工作原理基本上是相同的。

首先，上下桥的两个 MOS 管不可以同时导通，那么在下管导通的时候，上图中红色箭头标注的是自举电容的充电回路。在这个阶段，自举电容的 AB两端被充电为 12V。下一个阶段，下管关闭，此时上管 Q1 的 S 极处于浮动状态，IR2014 内部将 VB 引脚链接到 HO 引脚即可在 Q1 的 GS两极并联上充满电的自举电容，因此 Vgs = 12V，使得 Q1 导通。如此循环，上管关闭后，下管打开，再继续为自举电容充电，为下一次上管打开做准备。

同步 DCDC 电路中的自举电容

同步 DC-DC 芯片中的自举电容的原理与上文中提到的 H桥驱动非常相似，我们看一下同步DC-DC 芯片的内部框图来看一下自举回路。

框图中，两个绿色圆圈的 VCC 是 DC-DC 芯片内部稳压出来的一个可以驱动 MOS开启的电压，也可以供芯片内部其他逻辑电路使用，这里你可以理解为上一章节中 IR2014 的输入电压 12V。然后就跟 H 桥电路中的逻辑一样，当低边 MOS管通过 LS Driver （这里可以直接用 VCC 驱动，因为是低边的 NMOS）导通时，自举电容的回路通过红色箭头的回路进行充电，将自举电容两端电压 V+和V-之间充到 VCC 的电压。此时，buck 电路处于续流状态，因此绿色箭头表示的是电源输出与负载回路的续流回路。

当续流完毕，低边 NMOS 将被关闭，高边 NMOS 将由 HS Driver 选择将 C1 电容直接并接在高边 NMOS 的 GS 两端，高边NMOS 打开为电感补充能量。如果 DC-DC 中的高边 NMOS 换成一个 PMOS
的话，我们就没有必要大费周折的去给一个电容充电了，直接给一个比系统输入电压 VIN 低一些电压就可以打开高边的 PMOS 了。