IBS：为什么 FD SOI对于生成式AI时代中的边缘端设备如此重要？

（电子发烧友网原创）在2023年第八届上海FD SOI论坛上，全球知名半导体产业研究机构IBS公司CEO Handel Jones先生，公布了对2030年前的全球半导体芯片市场的预测，同时，他也表示，在AI时代下边缘端设备会出现高速发展，而FD SOI制造工艺对于AI边缘芯片市场增长来说非常重要。
 

图：IBS CEO Handel Jones在论坛上致词发表对全球半导体产业的预测和看法

到2030年，IBS预测 全球半导体市场将会突破1万亿美元，虽然在2030年全球半导体市场出现了明显的市场下滑。具体来说，AI类芯片、MOS和存储芯片的增长幅度会最明显。
 

如果只看中国市场，到2030年市场增长依然会很强劲，即使2030年也遇到很大的市场萎缩。后面会是连续7年的大幅增长，到2030年中国半导体市场将达到492,2亿美元，2023年预计全年2271亿美元，有超过一倍以上的增长。
 

市场在2023年芯片几乎迎来了全面的产能过剩，但是在2024年Q2预计会出现反转。对于行业来说，这是期待很久的事情。但真的会准时发生么？让我们保持期待。
 
随着28纳米和22纳米的FD SOI产能出现越来越多的量产芯片，产业也获益良多。目前18纳米的FD SOI技术已经在开发中，而中国市场上FD SOI的采用会更加突出。FD SOI能在高频率连接芯片中实现更低的功耗，例如77GHz的雷达芯片已经在22纳米FD SOI工艺上量产。一些大公司也宣布量产了多款可穿戴设备中的芯片。22与28纳米的FD SOI工艺也在车用和通用MCU中成功部署落地，智能手机上也有毫米波传输芯片上用上了这种工艺，相比CMOS和FinFET，FDSOI有生产成本上的优势，Jones在演讲中介绍了这些优势。之前在讨论中的好处，现在在很多的应用中已经变成了现实。
 
 

如上图，IBS公布了多组数据，与28纳米HPC工艺对比。

 
CHATGPT为先锋代表的生成式AI时代下，FD SOI尤其重要

随着生成式AI时代的到来，AI芯片和FPGA的市场增长会更快地成长。


以产品应用来看，非AI类芯片会越来越少，而AI类芯片市场的增长会取代传统芯片的增长，而带动全球芯片市场的未来7年的增长。

IBS CEO Handel Jones特别指出，FD SOI有着更好的潜力来支持AI类产品，因为边缘端的AI需要更低的功耗。以他的观察看，18纳米的FD SOI工艺能够支持到大部分的FinFET 12、14、16纳米工艺的芯片，甚至还能满足一些7纳米FinFET芯片的工艺要求。由于其工艺流程上的优势，如更少层的掩膜步骤，该工艺能带来更低的芯片制造成本 。再加上芯原在中国能够提供很好的FD SOI的技术支持，芯片的设计工具总体的性能表现非常突出，产品甚至还超额满足到了客户的性能指标。
 
Jones先生最后说，FD SOI现在还存在产能不足的限制，只能被少数公司采用，如果现在提升产能，FD SOI的营收还会更高。在中国市场，IP的可获取性也显得更加重要。他期待将来中国市场出现更多的FD SOI的合资企业，来支撑中国市场的需求。