LDO简介和基本选型要素 LDO热耗定义相关说明

描述

LDO使用中特别需要关注热耗的影响

一、LDO简介

LDO,其实LDO是线性电源的一种,即Low drop out低压降的线性电源,这个dropout是线性电源的一个重要特性,行业内最低好像能实现50mV的压降,即输入3.35V,输出可以做到输出3.3V。

LDO主要特征如下,这些特征使得LDO具有很广泛的应用:

1)输入电流≈输出电流。

2)输出干净,纹波非常小,高频噪声比较低。

3)能够抑制低频段噪声,抑制能力很强。

4)LDO自身消耗的功耗相对较大,其自身功耗≈(输入电压—输出电压)*输入电流,PD≈(VIN-VOUT)*IOUT。

5)LDO一般可用于模拟电路的供电,推荐小于0.5W以下的供电需求使用。

二、LDO基本选型要素

1)输入电压范围VIN;

2)输出电压范围VOUT;

3)输出电流大小IOUT;

4)输入输出压差VDO;

5)静态电流;

6)其他功能如输出使能引脚、软起动引脚、偏置电压引脚等。

除了以上的选型要素,LDO虽然电路非常简单,但是在使用过程中还有蛮多的注意事项,下文提到的热耗就是一个特别重要的LDO设计考虑要素。

三、LDO热耗定义相关说明

ldo

1、与热耗相关的一些温度参数

上图是一个LDO器件焊接在PCB上的一个示意图,里面展现了与温度相关的一些参数以及位置说明。

序号温度参数具体定义
1TC芯片外壳的温度,测量点在芯片封装的顶部中间(一般用于老的封装)
2TT芯片外壳的温度(同TC),测量点在芯片封装的顶部中间(一般用于现在的表面贴装器件)。
3TB靠近芯片安装位置附近的PCB板表面测量的温度,测量点在芯片四周PCB板表面(1mm间隔)
4TP芯片封装底部散热焊盘上的温度(如果暴露在外可测量的话),测量点在芯片底部散热焊盘上
5TA芯片所处的环境温度,测量点处于产品内部空气中
6TJ芯片结温,测量点处于芯片内部
7TSTG芯片存储温度
8TSD芯片热关断温度

2、与热耗相关的一些热阻参数,热阻代表单位功耗下,两个不同位置之间的温度差,表征芯片两个位置之间热传导的能力。

序号热阻参数具体定义
1Rθ(℃/W)=Temp(℃)/Power(W)
2RθJA芯片内部结到芯片环境的热阻
3RθJC(TOP)芯片内部结到芯片外壳顶部(中间)的热阻
4ΨJT芯片内部结到芯片顶部的特性参数(类热阻)
5ΨJB芯片内部结到电路板(1mm处)的特性参数(类热阻)
6RθJC(bottom)芯片内部结到芯片外壳底部(散热焊盘)的热阻

3、与热耗相关的结温的不同计算方法,结温是LDO器件内部温度,是我们考虑热耗最终衡量的目标。

序号计算结温的公式说明
1TJ = TT + ΨJT * PD基于芯片外壳顶部的温度计算
2TJ = TB + ΨJB * PD基于芯片附近1mmPCB板表面温度计算
3TJ = TA + RθJA * PD基于芯片的环境温度计算
4TJ = TC + RθJC * PD基于芯片外壳顶部温度计算(老封装)

四、常用LDO热耗示意说明(选取项目中常用的两个器件,也是本文的动机)

1、LTM4615

4615支持2路4A的DC/DC输出和1路1.5A的LDO输出,这里举例应用如下:

DC/DC通道1:输入5V,输出2.5V,输出电流1.2A;

DC/DC通道2:输入5V,输出1.8V,输出电流1A;

LDO通道:输入3.3V,输出1.5V,输出电流0.4A;

1)计算LTM4615的热耗

ldo

对于DC/DC通道来说,其热耗主要跟DC/DC的转换效率有关,参照上表可知,DC/DC通道1的热耗<0.6W@1.2A,DC/DC通道2的热耗<0.5W@1A。

对于LDO通道,根据公式PD≈(VIN-VOUT)*IOUT,则热耗PD≈(3.3-1.5)*0.4=0.72W。

则总的热耗≈0.6+0.5+0.72=1.82W。

2)计算LTM4615的温升

ldo

对于LTM4615来说,考虑最恶劣情况(无风、无底部散热器),RθJA=15(℃/W),则根据公式TJ = TA + RθJA * PD,其中TA为产品环境温度,一般环境要求高温为70℃(实际产品内部环境温度会更高,eg:80℃),TJ = 80 + 15 * 1.82 = 107.3℃,满足<120℃的结温要求(一般最高为125℃结温)。

综上:LTM4615使用时,DC/DC-1:输入5V,输出2.5V,输出电流1.2A;

DC/DC-2:输入5V,输出1.8V,输出电流1A;LDO通道:输入3.3V,输出1.5V,输出电流0.4A;满足使用要求。

但是若LD0通道:选择输入3.3V,输出1.5V,输出电流1A时,LDO的热耗PD≈(3.3-1.5)*1=1.8W,总功耗则≈0.6+0.5+1.8=2.9W。TJ = 80 + 15 * 2.9 = 123.5℃,则不满足<120℃的结温要求,此时虽然该LDO的总输出电流1A<LDO的额定输出1.5A,但使用时仍存在隐患。因此在使用LDO时一定要关注LDO的热耗,尽可能压降小一点。

2、TPS74401

TPS74401支持1路3A的LDO输出,这里举例应用如下:

LDO通道:输入2.5V,输出1.2V,输出电流1A,选用封装为RGW(QFN);

ldo

1)计算TPS74401的热耗

对于LDO通道,根据公式PD≈(VIN-VOUT)*IOUT,则热耗PD≈(2.5-1.2)*1=1.3W。

2)计算TPS74401的温升

ldo

对于TPS74401来说,考虑PCB尺寸为2in2,RθJA=45(℃/W),则根据公式TJ = TA + RθJA * PD,其中TA为产品环境温度,一般环境要求高温为70℃(实际产品内部环境温度会更高,eg:80℃),TJ = 80 + 45 * 1.3= 138.5℃,不满足该器件结温要求,存在高温隐患。

3)验证TPS74401的温升

在板子实际做出来后,可以通过测量TT或者TB,来进一步验证TPS74401的结温,用红外测温仪分别测量74401的封装顶部中间位置的温度TT以及距离74401周边1mm的PCB板的温度TB,分别进行计算结温。

ldo

TJ = TT + ΨJT * PD = ?+ 0.5* 1.3

TJ = TB + ΨJB * PD = ?+ 10.5* 1.3

通常来说两种不同的方法测量计算出来的结果会比较匹配,如果不匹配,则可能具体哪个参数出现了变化。且一般ΨJT、ΨJB会比RθJA计算结果更为准确。

五、降低热阻的常见做法

通过上面的分析我们知道,对于LDO来说,其热耗是其非常重要,需要重点关注的一个指标,热耗*热阻等于结温温升,结温温升限制了LDO的使用温度范围。因此除了常见的通过降低LDO的输入输出压降、输出电流控制热耗外,还可以通过降低热阻来进行优化,其具体做法包括:

1)通过PCB布局优化,LDO远离发热器件;

2)通过PCB布线优化,LDO的输入输出端的铜皮尽可能大一点,底部散热焊盘的散热过孔等;

3)通过散热冷板优化,通过散热冷板进行传热以降低RθJA;

4)根据不同热耗需求选择不同封装的LDO。

5)还可以在LDO输入端串接电阻分散热耗,但需要注意电阻选型。

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