虽然氮化镓(GaN)半导体在汽车应用中仍处于早期阶段,它正迅速进入更高电压领域。考虑到其高功率密度和效率,氮化镓技术正逐渐在汽车工业中获得吸引力。适用于低压和高压应用,它能应用于各种汽车系统。GaN有潜力大幅提高整体效率,我们预计,它会对汽车工业产生显著影响。
IDTechEx公司的研究人员Luke Gear和James Edmondson在最近的一份关于电动汽车电力电子设备的报告中预测:“未来10年内,EV功率电子设备的需求将激增,主要由电池电动汽车(BEV)市场的快速增长推动,预计在未来十年内,总体复合年增长率为15%。”报告指出,由于宽禁带(WBG)功率电子设备的高压时代已经来临,驱动器的效率必须成为动力总成设计的首要任务。
氮化镓更有潜力
对于任何新技术,往往会有许多人没有充分了解。比如,IDTechEx公司的Gear说:“有一个误解是,人们认为只有碳化硅是适合高压或功率应用的WBG材料。然而,从理论上讲,氮化镓具有更大的潜力,尽管通常只被视为用于电信或光电子学。事实上,氮化镓的热导率是硅的两倍,几乎每一个度量都超过了碳化硅,从电子移动性、效率到击穿电压和效率,这些对电动汽车来说非常重要。”
氮化镓在电动汽车中的应用
然而硅并未过时,而GaN和硅碳化物(SiC)也并非未来电力的唯一主角。应用规格将继续决定所使用的半导体材料,硅的价格和可靠性将继续适用于从15V到650V的器件。但氮化镓是硅在低功率应用中唯一可行的WBG替代材料,将会有更多的氮化镓器件被推出,带来效率的提升。
在与电动车动力续航无直接联系的设备,如:电源适配器(OBCs)和DC-DC转换器,都在低功率1-22kW之间运行。虽然它们在车辆行驶过程中并不直接贡献动力,但GaN等WBG解决方案可以有效提高总体功率密度和效率,并快速给电池充电。
接下来,车联网(V2x)所有接口有可能将电动车电力带给家庭和其他车辆。Navitas的EV设计中心平台包括一个6.6kW的“三合一”设计,将双向OBC和DC-DC功能合并,实现了能源节约的17%和功率密度提升1.6倍。
氮化镓面临的问题
GaN面临的主要挑战包括成本、标准化、供应链以及新技术的特性。ST的代表们指出,尽管他们对长期前景感到乐观,但GaN仍然面临着广泛应用于电动汽车的挑战。ST还指出集成问题和与热管理和电压尖峰有关的可靠性等待验证。
总的来说,设计工程师对这些优点愈发了解,但同时,创建高效可靠的电动车系统面临的挑战也不少。然而,关于GaN的理解却存在许多误解。
这是WBG技术尤其是电动车领域的公司所坚持的一致信息。虽然可能在产品推出阶段还很早,但在规划,准备和进入这个领域方面却并不早。如果你想在GaN领域保持相关性,那么最好早做准备。
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