英飞凌IGBT单管命名规则

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上篇解释英飞凌IGBT模块命名规则的文章:英飞凌IGBT模块命名规则。我司作为IGBT大厂,除了种类繁多的模块型号,还有单管型号也是数不胜数。好在单管封装没有那么多复杂的拓扑,封装形式也有限。因此IGBT单管的命名规则相对简洁一些。

IGBT单管以时间为界,有两套体系

对于2013年3月份之前release的器件,命名规则如下图。主要传达的信息有:芯片种类(是否有续流二极管)+封装形式+电流等级+电压等级+芯片类型+是否车规级芯片:

芯片

单管塑封壳上面都会有激光打标,这可以说是料号的“昵称“——用更少的字母,表达了丰富的特性。例如对于IHW20N120R3这颗器件,它的封装上的标志是H20R1203,各数位含义和料号的命名规则相同,如下图:

芯片

对于2013年3月之后release的器件,它的命名规则稍有不同。

1. 首先,封装形式更加丰富了,从6种拓展到了11种,新增封装类型包括:TO247-4pin,TO247plus-3pin/4pin,高级绝缘的TO247 3pin,以及使用烧结技术的TO263 3pin。由于新型封装形式层出不穷,表示封装的第3数位还会继续拓展,不断更新。

2. 第7数位表示了反并联二极管的类型(EmCon, rapid1, rapid2),以及其电流等级是否和IGBT相同,如相同,则标为full rated。第8数位代表了IGBT类型,可以看到这套命名规则里的IGBT芯片类型,可比上一代多多啦,从TRENCHSTOP™ 2到最新的TRENCHSTOP™ 7应有尽有。

3. 在高级绝缘TO247 3pin产品最后一位,可能还会有一个字母E,这个字母E代表最具性价比的高级绝缘方案。如果缺省,则默认为性能最优的高级绝缘方案。

芯片

激光打标规则和上一代也有很大变化,值得注意的是两点:

芯片

电压等级(第三数位)不再给出数字,而以字母替代。字母和电压的对应规则如表1。你说看起来好像没什么规律呢?是的,考验记忆力的时候到了。。。

芯片

激光打标第四数位上给出了二极管信息(是否是全电流二极管),其规则同上图中料号的命名规则group 7。

  审核编辑:汤梓红
 
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