浅谈英飞凌的碳化硅SiC战略

英飞凌正在制定雄心勃勃的计划，力争在2023年前在碳化硅（SiC）技术领域占据30%的市场份额，通过Villach和Kulim设施进行重大扩张的支持。

一）碳化硅战略SiC 

在SiC市场迎来强劲增长的背景下，战略定位于巩固其在技术和规模方面的领先地位，特别关注SiC在不断演变的电力系统领域中的关键作用。

1）Vlllach和Kulim工厂的扩建：扩张计划包括在现有Kulim站点增设生产能力，带来多重优势，包括规模经济、具有竞争力的本地成本定位、快速实施以及从现有员工和基础设施中获得的可靠性。模块化设置在扩张阶段提供了灵活性，确保运营的高效性和适应性。

通过建立世界级的制造设施，英飞凌旨在成为该行业最具竞争力的SiC技术提供商。坚实的理由包括：

● SiC原材料供应和冷分技术：

◎ 与5多个合格的SiC晶片和晶锭供应商的合作。 

◎ 通过冷分技术提高生产效率，每块晶片的数量比平面方法增加30%。

◎ 零退货的卓越可靠性。

● 卓越的沟槽技术：

◎ 英飞凌拥有几十年的沟槽技术经验和专业知识。

● 封装组合和系统理解：

◎ 最佳的封装解决方案。

◎ 推出.XT技术，实现最高功率密度。

◎ 对电力系统需求有深刻理解。

2）世界级的200毫米晶圆厂：扩张的中心是建立一个世界级的200毫米晶圆制造设施，将在满足SiC技术不断增长的需求方面发挥关键作用。

在汽车和可再生能源领域，英飞凌已经获得了重大的设计胜利，相关客户的约10亿欧元的预付款将有望在2024年和2025年的财政年度为其自由现金流做出贡献。英飞凌已经从6家原始设备制造商（OEMs）和5家主要客户那里获得了总计约50亿欧元的设计胜利。

二）GaN战略 

英飞凌科技的GaN Systems收购是公司成为领先GaN技术提供商的关键战略之一，拥有关键知识产权，包括所有前端工艺步骤，从而进一步巩固了其技术实力。英飞凌通过整合代工合作伙伴和公司内生产的双模式，做好了200毫米生产的准备，以争取在GaN市场占据领导地位。出色的专利组合，涵盖超过350个专利家族，以及拥有约450名GaN专家的强大团队，使其能够在GaN技术领域取得主导地位。

英飞凌致力于GaN研发，并拥有年度高两位数的百万美元的研发预算，能够保持行业最先进的技术水平，深入理解应用领域，尤其是在汽车领域有着卓越的应用理解。

据Yole的数据显示，GaN市场正在迅速增长，受到关键电力应用的推动，包括充电器、适配器、服务器、住宅太阳能和车载充电器。预计在未来五年内，GaN市场的复合年增长率将达到56%，累计市场潜力将达到约60亿美元。GaN技术具有卓越的开关性能，能够实现更高的效率和更低的系统成本。应用领域已经达到或正在逐渐达到临界点，使得GaN技术的采用逐渐普及。

审核编辑：黄飞