在集成电路中,光刻工艺是非常核心及重要的加工环节,而光刻胶虽然只占芯片制程成本6%,却是光刻工艺中的核心材料之一,其纯度和质量直接决定了芯片的良品率。“如果缺少了光刻胶, 那么***将成为废铁。”
“光刻胶
除了半导体制程工艺,印刷电路板(PCB)和显示面板产业也需要使用光刻胶。光刻胶在半导体应用中根据不同制程的***需要使用不同种类的光刻胶,光刻胶主要根据曝光光源波长不同来分类,包括紫外全谱(300~450nm)、G线(436nm)、I线(365nm)、深紫外(DUV,包括248nm和193nm)和极紫外(EUV)。其中,半导体用光刻胶主要分为5个种类:g线光刻胶、i线光刻胶、KrF光刻胶、ArF光刻胶和EUV光刻胶。
对于光刻胶来说,除了需要具备正确的配方研发,更重要的是要严格控制金属杂质的含量。越高级的光刻胶对金属杂质的含量要求越严格。
为了生产高纯度、高质量的光刻胶,需要高纯度的配方原料,例如光刻树脂,溶剂PGMEA…此外,生产过程中的反应釜镀膜和金属析出污染监测也是至关重要的控制环节。例如,2019年,某家半导体制造公司由于光刻胶受到光阻原料的污染,导致上万片12吋晶圆报废,直接损失达5.5亿美元。由此可见光刻胶质量控制的重要性。
随着技术进步和制程线宽越来越细,对于光刻胶的市场使用需求也将不断增加,然而,更严苛的光刻工艺意味着需要更高端、更高纯度、更高质量的光刻胶。
SGS半导体超痕量分析实验室,拥有业界尖端的分析设备与环境,为半导体产业及其供应链提供专业的光刻胶与光刻胶上游原材料的纯度、微量金属杂质及其他杂质分析服务。
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