【技术专栏】泰凌微电子晶振频偏校准及实施步骤教程（二）

继上一篇为大家介绍了《泰凌微电子晶振频偏产生原理及背景教程（一）》，本篇将继续为大家介绍晶振频偏校准及实施步骤。

 

1

晶振步进确认

 

 

1、下载EMI程序到PCBA

 

Telink wiki官网下载BDT工具：http://wiki.telink-semi.cn/wiki/IDE-and-Tools/Burning-and-Debugging-Tools-for-TLSR9-Series/

 

 

 

2、打开EMI工具（以B91芯片系列为例）

 

 

3、EMI程序下载（以2.4G私有协议为例）

 

 

4、读取频偏校准值 ，没有校准过的芯片读flash FE000(1M)或1FE000(2M)默认值是FF。

 

 

5、读取analog 地址8a，默认读取值是60.频偏校准值如果不是FF，则读取到的值跟随flash中的频偏校准值。

 

 

6、修改模拟寄存器8a中的值，此时可以在频谱仪上看到频偏。

 

如上测试数据分析：以默认值为中心点，cap校准值变大，则频偏向负方向移动，如果频偏校准值变小，则频偏向正方向移动。当前晶振符合低延时性能指标。

 

2

生产验证

 

 

通过EMI工具初步选定晶振，进行小批量生产，统计默认状况下的频偏范围是否均衡分布，如果频偏是偏正偏，则选用负载电容再小点的晶振；如果频偏是偏负偏，则选用负载电容再大点的晶振，然后再进行小批试产；如果频偏有正偏也有负偏，基本均匀分布，则晶振选定，进行正常的频偏校准并对校准值进行保存，完成晶振选型和频偏校准。

 

如下是晶振选型及频偏校准基本流程：

 

 

晶振选型概括如下：

频偏正偏，则晶振负载电容向小的调；

频偏负偏，则晶振负载电容向大的调。

 

 

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