制造/封装
光刻胶自20世纪50年代被发明以来就成为半导体工业最核心的工艺材料之一。随后光刻胶被改进运用到印制电路板的制造,因而成为PCB生产的重要材料之一。20世纪90年代,光刻胶又被运用到平板显示的加工制作,大力推动了平板显示面板的高精细化、大尺寸化、高精细化和彩色化。
随着市场半导体产品小型化以及功能多样化的要求,半导体光刻胶需要不断缩短曝光波长提高极限分辨率,来达到集成电路更高密度的集积。随着IC集成度的提高,世界集成电路的制程工艺水平已由微米级进入纳米级。
随着半导体技术的更新换代,***也从最开始的g线(436nm)逐渐发展为近十年间兴起的EUV***,从接触式向接近式,最后演变成步进式为主。EUV***,又称极紫外线***,是芯片生产工具,是生产大规模集成电路的核心设备,对芯片工艺有着决定性的影响。对于小于5纳米的芯片晶圆,只能用EUV***生产。
光刻胶又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。光刻胶目前被广泛用于光电信息产业的微细图形线路加工制作,约占IC制造材料总市场的6%,是重要的半导体材料。 光刻胶是电子化学品中技术壁垒最高的材料, 具有纯度要求高、生产工艺复杂、技术积累期长等特征。
审核编辑:黄飞
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