HBM市场将爆发“三国之战”

　　随着对生成人工智能（ai）非常重要的hbm成为新一代存储器半导体的主力，三星电子和美光公司就被SK海力士垄断的英伟达公司的hbm订单展开了激烈的竞争。

　　研究公司TrendForce（集邦咨询）预测说，nvidia将于今年12月结束对三星电子hbm3的验证工作。三星电子目前向英伟达提供hbm3样品，业内人士认为，根据下月的验证结果，三星电子可能会签订正式合同。

　　英伟达的图形处理器（gpu）是高附加值产品，特别是high end h100车型的售价为每个6000万韩元（约4.65万美元）。英伟达将在存储半导体领域发挥潜在的游戏链条作用。hbm3营销的领先者sk海力士自去年以后独家向英伟达供应hbm3，领先于三星电子。因此，sk海力士将与三星电子的dram占有率差距缩小到了4.4个百分点。sk海力士的dram事业此前虽然没能避免亏损，但得益于hbm和ddr5等高附加值产品的业绩，今年第三季度和第四季度扭亏为盈。

　　据业内人士预测，美国存储型半导体企业美光公司计划明年批量生产第五代hbm3e，因此，hbm3e的“三国冲突”将全面打响。预计这3家公司将在英伟达推出的h200和b100 ai芯片所需的hbm3e供应上展开激烈的竞争。

　　据报道，英伟达为有效管理供应链，计划改变hbm供应商。因此，sk海力士的独家供应体制可能会结束，竞争时代可能会到来。据trend force透露，美光、SK海力士和三星电子分别于7月、8月和10月提供了hbm3e样品。考虑到英伟达通常验证hbm样品需要6个月左右的时间，预计供应量的轮廓将于明年揭晓。

　　分析师黄敏成表示：“sk海力士hbm从今年第二季度和第四季度开始有别于竞争企业，第三季度和第四季度的差距进一步拉大。在hbm与竞争企业区别化的过程中，hbm之间的差别正在加速。”hbm与现有的存储器一代需要1.5至2年的时间不同，只需1年就能完成这一任务，因此有利于市场排名第一的sk海力士。”

　　三星电子推出“超级差距（super-gap）”技术，试图扭转局面。去年10月在硅谷举行的“存储技术日”活动中，三星电子推出了“shibolt”hbm3e dram，作为集成装置制造企业（idm），宣布将通过生产作为集成设备制造商（IDM）通过交钥匙（端到端）扩大市场占有率。另外，三星电子负责d - ram开发的副总经理Sang-jun Hwang表示：“正在开发第6代hbm4，预计将于2025年供应。”