什么是PN结

　　P型硅和N型硅，没接触就不会出现结，相互接触就形成一个结，被称为PN结

　　

　　P型硅中有大量的多子空穴和少量的电子；N型硅中有大量的多子电子和少量的空穴；

　　中间的结对载流子的流动不构成障碍，所以有一些空穴就从P型硅扩散到N型硅，同样，一些电子从N型硅扩散到P型硅；

　　这时候，两边的少子浓度都要高于它单独掺杂时的情况，即：扩散通过结的那些载流子（相对另一边为少子）被称为“过量少子浓度“

　　在载流子扩散通过结的时候，它也建立了一个电场：N型硅过量空穴提供正电，P型硅过量电子提供负电，所以结两侧形成了电压，建立了电场；

　　（备注：N型半导体典型掺杂：磷、砷、锑；P型半导体典型掺杂：硼）

　　载流子通过结的同时，掺杂的电离杂质原子是不能移动的，P型区的一侧带负电的电离杂质，N型区带正电的电离杂质；

　　存在电场，则空穴被吸引到电位为负的P型区，电子则被吸引到电位为正的N型区，即：载流子的漂移趋于抵消扩撒，从P型区扩撒到N型区的空穴又漂移回去，N型区扩散到P型区的电子也漂移回去，即：扩散电流与漂移电流大小相等方向相反时建立平衡，结电压平衡，两侧过量少子浓度也达到平衡；

　　PN结特性：载流子扩散通过结，在耗尽区两侧形成过量少子浓度；电离杂质原子的分离形成耗尽区电场，阻止多子穿越耗尽区，最终两段达到平衡状态~

　　（备注：耗尽区厚度取决于结两侧掺杂水平，轻掺杂需要耗尽较宽的硅层，重掺杂，需要很窄的耗尽层）

        审核编辑：黄飞