MOS管寄生电容计算方法

总寄生电容计算

Cox计算

例如：栅电容Cgg=Cox*W*L，W和L我们可以直接从器件参数得到，接下来我们需要知道MOS管的Cox具体值

（1）介电常数：

它是表示绝缘能力特性的一个系数，符号为ε，单位为F/m（法/米）

（2）相对介电常数：

某种电介质的介电常数ε与真空介电常数ε0的比值，称为该电介质的相对介电常数，符号为εr，即εr=ε/ε0，εr是无量纲的纯数，其中真空介电常数ε0=8.854E-12F/m，SIO2的相对介电常数为εr=3.9，所以SIO2的介电常数ε=εr*ε0=3.9×8.854E-12F/m

（3）Cox计算

Cox是介质的介电常数ε与tox的比值，tox可以在工艺model文件(.scs文件)中找到，以HHG90工艺为例：

在model文件中可以查到NCH5的toxn=1.15E-08m，PCH5的toxp=1.14E-08m，SIO2的介电常数ε=3.9×8.854E-12F/m，

Coxn=ε/toxn=3fF/um2；

Coxp=ε/toxp=3.02fF/um2

3.CGB、CGS和CGD电容  

在饱和区，电路中的最高电容是 CGS。晶体管栅极的输入电容等于CGG≈CGS，与栅漏电容 CGD 相比，CGS 比CGD大了一个2/3(WLCox)。在截止区时，CGB=WLCox，在饱和、线性区为0。

审核编辑：黄飞