IGBT的稳态分析—电流与电荷分布关系修正

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如前所述,修正IGBTIGBTIGBT的关系关键在于要重新基于BJT结构模型来建立IGBTIGBT的关系。我们知道,IGBT导通状态时,BJT发射极的PN结处于正偏状态,内建电场被削弱,电流主要来自于扩散电流,即,

IGBT

回顾《IGBT中的若干PN结》中关于PN结导通状态的分析,当IGBT时,

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其中IGBT,表示PN结P型区域的少子浓度;IGBT(大注入),表示PN结N型区域的少子浓度, IGBT是外加电压,通常情况下IGBT,因此(6-13)可以简化为:

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其中, IGBT,将(6-14)带入(6-15)就可以得到IGBTIGBT的关系如下,

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进一步地,我们上述修正带入(6-6)中,就可以得到准确的IGBTIGBTIGBT的关系,以电子电流IGBT为例,具体操作如下,首先将(6-10)带入(6-6)

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IGBT,根据(6-17)可以得到

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用(6-17)减去(6-18),并带入(6-16)可以得到修正后的电子电流IGBT

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同理,可以得到修正后的空穴电流IGBT

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根据(6-19)和(6-20)可以看出,电子电流和空穴电流的分布取决于IGBT,与之前分析一样,我们最好能建立IGBT与总电流IGBT之间的关系,显然(6-11)已经不再适用。因为IGBT,IGBT中处处相等,将(6-19)与(6-20)相加即可得到他们之间的关系如下:

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确定IGBT后,(6-21)是一个关于变量IGBT的一元二次方程,很容易求解,且考虑到IGBT不能为负, (6-21)求解时只取正值即可。对比修正前后IGBT以及多余载流子浓度分布随IGBT的变化如下图所示,显然,模型修正后,IGBT以及多余载流子浓度显著下降。

同理,我们来看看修正后的电子电流即空穴电流分布如图中实线与虚线的对比(假设总电流密度为IGBT)。

虚线是根据PIN模型计算得到的电子电流及空穴电流分布,很明显结果符合PIN模型的边界条件设置,即IGBT;实线为根据BJT模型修正后的电子电流和空穴电流分布,显然IGBT

修正后的模型更切合实际,由此得出的IGBTIGBT以及IGBTIGBT将作为后续关断瞬态分析的初始条件。

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